[发明专利]自动检测晶片基底二维形貌的装置有效

专利信息
申请号: 201410693636.9 申请日: 2014-11-26
公开(公告)号: CN105698706A 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 刘健鹏 申请(专利权)人: 北京智朗芯光科技有限公司
主分类号: G01B11/245 分类号: G01B11/245
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 刘杰
地址: 102206 北京市昌平*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 自动检测 晶片 基底 二维 形貌 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及半导体材料无损检测技术领域,特别涉及自动检测晶片基底二 维形貌的装置。

背景技术

申请号为201410188236.2的发明专利申请涉及一种自动实时快速检测晶片 基底二维形貌的装置,包括第一运算模块、第二运算模块和分析模块,第一运 算模块根据N个光斑的位置信号,计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测 基底沿X方向的曲率CX,第二运算模块根据N个光斑的位置信号,计算晶片基 底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率CY,其中,N为3以 上的自然数,N个光斑是由N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底 后又分别反射到与入射光一一对应的PSD上形成的,分析模块根据各CX、CY的计算结果,得到基底的二维形貌。

该自动实时快速检测晶片基底二维形貌的装置还包括N个PSD,N束激光 和第一分光元件,N束激光沿直线排布,其中,N为3以上的自然数,N个PSD 与N束激光一一对应,N束激光首先射向第一分光元件,经过第一分光元件后 形成入射光,入射光入射到晶片基底上,并在晶片基底上沿径向形成N个入射 点,入射光被基底反射后形成N束第一种反射光束,各第一种反射光束经过第 一分光元件透射后,入射到与N束激光相对应的PSD上,形成N个光斑。

该装置中,为了能够使各PSD的布置更加紧凑,还包括通光装置,通光装 置设置在所述入射光和第一种反射光束共同经过的光路上,通光装置上设有N 个通光孔,N个通光孔与所述N束激光一一对应,通光孔间隔地设有反射镜, 用于使对应经过的光束方向翻转90°。由于通光装置结构相对复杂,自身存在 系统误差,难以保证各PSD接收到的光的一致性。此外,该装置中,各方向光 束在光路上各有各的反射、透射元件,更加影响了各PSD接收到的光的一致性。

发明内容

为了解决上述问题,本发明提出了一种能够保证PSD接收到的光的一致性 的自动检测晶片基底二维形貌的装置。

本发明提供的自动检测晶片基底二维形貌的装置,包括N个PSD,N束第 一种激光、与所述N束第一种激光一一对应的N个第一分光片、与所述N束第 一种激光一一对应的N个第二分光片、第一运算模块、第二运算模块和分析模 块,

所述N束第一种激光沿直线排布,其中,所述N为3以上的自然数,所述 N个PSD与N束第一种激光一一对应,所述N个PSD分别布置在所述N束激 光的左右两侧,包括左侧PSD和右侧PSD,

每束第一种激光经过第一分光片后入射到第二分光片,通过第二分光片后 入射到晶片样品表面,晶片样品表面反射的N束第一种反射光束包括第一方向 光束和第二方向光束,第一方向光束通过第二分光片后,入射到第一分光片, 经过所述第一分光片后,入射到所述右侧PSD上,形成光斑;所述第二方向光 束通过第二分光片后入射到所述左侧PSD上,形成光斑;所述右侧PSD和左侧 PSD上共形成N个光斑;

所述N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域,其中,对应 于所述第一方向光束的区域,所述第一分光片能同时反射和透射所述第一种激 光,所述第二分光片能够反射所述第一种激光;对应于所述第二方向光束的区 域,所述第二分光片能同时反射和透射所述第一种激光;

所述第一运算模块根据N个光斑的位置信号,计算晶片基底上任意两个入 射点之间在待测基底沿X方向的曲率CX

所述第二运算模块根据N个光斑的位置信号,计算晶片基底上任意一个入 射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率CY

其中,N为3以上的自然数,所述N个光斑是由N束激光沿晶片基底径向 即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与所述入射光一一对应的PSD上形成 的,

所述分析模块根据各所述CX、CY的计算结果,得到基底的二维形貌。

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