[发明专利]嵌入式碳化硅的制备方法

权利要求书

1.一种嵌入式碳化硅的制备方法，其特征在于，包括：

对形成有半导体器件的衬底进行刻蚀，形成凹槽；

清洗凹槽表面；

原位腐蚀凹槽表面；

原子层沉积法在凹槽表面沉积籽晶层；

原子层沉积法在籽晶层表面沉积碳化硅薄膜；

选择性外延沉积碳化硅，以形成嵌入式碳化硅。

2.如权利要求1所述的嵌入式碳化硅的制备方法，其特征在于，采用SiCoNi预清洗凹槽表面。

3.如权利要求1所述的嵌入式碳化硅的制备方法，其特征在于，使用HCl、Cl₂或HCl与Cl₂的混合气体原位腐蚀凹槽表面。

4.如权利要求1所述的嵌入式碳化硅的制备方法，其特征在于，所述原子层沉积法在凹槽表面沉积籽晶层步骤包括：

凹槽表面吸附形成SiH₄或Si₂H₆层；

使用H₂吹扫衬底表面，使SiH₄或Si₂H₆分解成膜；

使用HCl选择性刻蚀去除非衬底区的非晶硅；

重复上述步骤直至形成预定厚度的籽晶层。

5.如权利要求1所述的嵌入式碳化硅的制备方法，其特征在于，原子层沉积法在籽晶层表面沉积碳化硅薄膜步骤包括：

籽晶层表面吸附CH₃SiH₃和SiH₄/Si₂H₆；

使用H₂吹扫籽晶层表面，使CH₃SiH₃和SiH₄/Si₂H₆分解成膜；

使用HCl选择性刻蚀去除非晶体的碳化硅；

重复上述步骤直至形成预定厚度的碳化硅薄膜。

6.如权利要求1所述的嵌入式碳化硅的制备方法，其特征在于，所述碳化硅薄膜的厚度为

7.如权利要求1所述的嵌入式碳化硅的制备方法，其特征在于，所述籽晶层的厚度为

8.如权利要求1所述的嵌入式碳化硅的制备方法，其特征在于，所述碳化硅沉积时温度为525～575摄氏度。

9.如权利要求1所述的嵌入式碳化硅的制备方法，其特征在于，对形成有半导体器件的衬底进行刻蚀，形成凹槽步骤包括：

在衬底的PMOSFET上形成光阻；

对NMOSFET进行干法刻蚀形成凹槽；

使用酸槽将光阻去除。

10.如权利要求9所述的嵌入式碳化硅的制备方法，其特征在于，去除光阻后，外延前清洗凹槽表面。