[发明专利]光罩的制作方法

说明书

本发明揭示了一种光罩的制作方法，该方法将主图形和SRAF图形分离，通过调节曝光线宽线性度分别获得适合主图形的线宽线性度参数和SRAF图形的线宽线性度参数，根据获得的主图形的线宽线性度参数和SRAF图形的线宽线性度参数进行光刻，获得光罩所需图形。本发明降低了制程线性误差对图形规格的干扰，使得获得的图形更加接近所需规格。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光罩的制作方法。

背景技术

光刻过程包括在光罩也称为掩膜版(mask)上形成图像，然后将这些图像投影到半导体晶片上，从而形成与意图限定功能元件的设计相匹配的图案。是否能够精确的将设计所需的规格复制到晶片上，这是衡量光刻过程是否成熟的一个重要指标，同时也对后续工艺产生着深远的影响。

当光刻工艺进入到65nm节点以下，前沿的芯片设计具有小于在先进曝光工具中使用的光波长的最小线宽(CD)。即便是光学近似修正(OPC)技术已经能够提供较好的修正结果，亚分辨率辅助特征(Sub-Resolution Assistant Feature，SRAF)图形仍然不可或缺的。这是由于通过OPC的修正，使得抗蚀剂图像(RI)轮廓足够接近名义条件下的设计目标。但是在没有任何额外特征的情况下，过程窗口(PW)很小。因此需要通过SRAF来提高在更宽的散焦范围内等情况下主图形的可印刷型，从而在光刻过程中保持充分的加工裕量。

图1所示为现有技术的光罩中SRAF图形与主图形的一种常见布局设计。包括主图形20和SRAF图形10，在现有技术中，在制作过程中会产生制程线性误差(processlinearity error)，如在图1中对位置1、2、3进行测量后会发现，很难使得图形的长度和宽度都达到目标规格，并且产生的线宽背离偏差较大。

请参考图2a和图2b的示例，这一制程线性误差展现在：若使得曲线在线宽相对大一些的部分(例如图2a中虚线右边的部分)保持平坦(flat)，线宽较小部分(例如图2a中虚线左边的部分)的曲线则呈现下降趋势；若使得曲线在线宽相对小一些的部分(例如图2b中虚线左边的部分)保持平坦，线宽较大部分(例如图2b中虚线右边的部分)的曲线呈现下降趋势。当然还会有着其他形式，在此不进行一一列举。这就导致不能够保证SRAF图形中相对较大的线宽和相对较小的线宽同时达到所需目标。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种光罩的制作方法，使得制得主图形和SRAF图形的规格更加接近目标。

为解决上述技术问题，本发明提供一种光罩的制作方法，包括：

将主图形和SRAF图形分离；

通过调节曝光线宽线性度分别获得适合主图形的线宽线性度参数和SRAF图形的线宽线性度参数；

根据获得的主图形的线宽线性度参数和SRAF图形的线宽线性度参数进行光刻，获得光罩所需图形。

可选的，对于所述的光罩的制作方法，所述主图形的线宽大于等于主图形线宽线性度曲线中的拐点对应的线宽。

可选的，对于所述的光罩的制作方法，所述主图形线宽线性度曲线包括平坦部分和倾斜的部分，所述平坦部分的线宽大于所述倾斜部分的线宽，所述拐点为平坦部分和倾斜部分的分界点。

可选的，对于所述的光罩的制作方法，所述SRAF图形包括多个大小不一的矩形。

可选的，对于所述的光罩的制作方法，所述曝光线宽线性度的调节由主图形和SRAF图形的线宽的不同而变化。

可选的，对于所述的光罩的制作方法，获得主图形的线宽线性度参数包括：

获得参考线宽线性度曲线；

通过调节曝光线宽线性度对所述参考线宽线性度曲线进行调整，选取参考线宽线性度曲线中线宽包含主图形线宽且曲线平坦的部分；