[发明专利]一种低压源耦异或逻辑电路结构有效
| 申请号： | 201410701629.9 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN105700604B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘辉 | 申请（专利权）人： | 成都振芯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙)51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 源耦异 逻辑电路 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种低压源耦异或逻辑电路结构，其特征在于：它包括两对NMOS输入的差分对A和差分对B、一对PMOS输入的差分对C，以及分别向差分对A、差分对B和差分对C提供偏置电流的偏置电流源N1、偏置电流源N2和偏置电流源P3；差分对A和差分对B的反相互补输入端互联，差分对A和差分对B的同相互补输出端互联；一路差分互补输入信号AP、AN分别与差分对A和差分对B的互补输入端连接，另一路差分互补输入信号BP、BN与差分对C的互补输入端连接，差分对C的互补输出端分别与差分对A和差分对B的偏置电流输入端连接。
2.根据权利要求1所述的一种低压源耦异或逻辑电路结构，其特征在于：所述的偏置电流源N1和偏置电流源N2主要由NMOS管组成。
3.根据权利要求1所述的一种低压源耦异或逻辑电路结构，其特征在于：所述的偏置电流源P3主要由PMOS管组成。
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