[发明专利]一种交叉式太阳能组件生产工艺在审
申请号: | 201410704327.7 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN105702787A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 李向清 | 申请(专利权)人: | 江苏爱多光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214423 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 交叉 太阳能 组件 生产工艺 | ||
1.一种交叉式太阳能组件生产工艺,其特征在于:其工艺包括清洗、掺杂、印刷、烧结、单片测试,光伏电池片正、负极的焊接,叠层,光伏电池组片检测,层压固化,组框的工艺过程;单片一面上设有正电极和负电极以及容纳正电极与负电极的腐蚀槽;所述正电极和负电极分别设置在单片的两端,所述正电极上设有向单片中心延伸的正电极延伸线,所述负电极上设有向单片中心延伸的负电极延伸线;所述正电极延伸线和负电极延伸线交叉设置;所述正电极延伸线和负电极延伸线均呈直线状;所述正电极宽度大于正电极延伸线,所述负电极宽度大于负电极延伸线。
2.根据权利要求1所述的交叉式太阳能组件生产工艺,其特征在于:单片清洗之后,将单片甩干水分后烘干,将腐蚀膜贴在单片上,腐蚀膜上部设有耐腐蚀层,耐腐蚀层上设有空缺,空缺分布按照设定的图案进行设定;将腐蚀液喷撒在腐蚀膜上表面,腐蚀液沿空缺将腐蚀膜腐蚀后继续腐蚀单片并形成腐蚀槽;腐蚀时间为10~15秒,腐蚀温度为30~40℃;腐蚀后将腐蚀膜揭起,并使用蒸馏水冲洗单片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的