[发明专利]一种交叉式太阳能组件生产工艺在审
申请号: | 201410704327.7 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN105702787A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 李向清 | 申请(专利权)人: | 江苏爱多光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214423 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 交叉 太阳能 组件 生产工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种交叉式太阳能组件生产工艺。
背景技术
现有的光伏组件在丝印工艺中将电极印刷到单片的两面,这样的电极设置无论电极栅线做的如何细都会阻挡部分太阳光的入射;同时,单片表面的电极设置在表面,电荷负极能力不足。现有技术急需一种能够提高太阳光透射率的交叉式太阳能组件生产工艺。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的缺陷,提供一种能够提高太阳光透射率的交叉式太阳能组件生产工艺。
为实现上述目的,本发明的技术方案是提供了一种交叉式太阳能组件生产工艺,其工艺包括清洗、掺杂、印刷、烧结、单片测试,光伏电池片正、负极的焊接,叠层,光伏电池组片检测,层压固化,组框的工艺过程;单片一面上设有正电极和负电极以及容纳正电极与负电极的腐蚀槽;所述正电极和负电极分别设置在单片的两端,所述正电极上设有向单片中心延伸的正电极延伸线,所述负电极上设有向单片中心延伸的负电极延伸线;所述正电极延伸线和负电极延伸线交叉设置;所述正电极延伸线和负电极延伸线均呈直线状;所述正电极宽度大于正电极延伸线,所述负电极宽度大于负电极延伸线。
作为优选地,单片清洗之后,将单片甩干水分后烘干,将腐蚀膜贴在单片上,腐蚀膜上部设有耐腐蚀层,耐腐蚀层上设有空缺,空缺分布按照设定的图案进行设定;将腐蚀液喷撒在腐蚀膜上表面,腐蚀液沿空缺将腐蚀膜腐蚀后继续腐蚀单片并形成腐蚀槽;腐蚀时间为10~15秒,腐蚀温度为30~40℃;腐蚀后将腐蚀膜揭起,并使用蒸馏水冲洗单片。
本发明的优点和有益效果在于:通过本发明所述的工艺可以提高太阳光透射率和电极的电荷负极能力。
具体实施方式
下面结合实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
一种交叉式太阳能组件生产工艺,其工艺包括清洗、掺杂、印刷、烧结、单片测试,光伏电池片正、负极的焊接,叠层,光伏电池组片检测,层压固化,组框的工艺过程。
单片一面上设有正电极和负电极以及容纳正电极与负电极的腐蚀槽;所述正电极和负电极分别设置在单片的两端,所述正电极上设有向单片中心延伸的正电极延伸线,所述负电极上设有向单片中心延伸的负电极延伸线;所述正电极延伸线和负电极延伸线交叉设置;所述正电极延伸线和负电极延伸线均呈直线状;所述正电极宽度大于正电极延伸线,所述负电极宽度大于负电极延伸线。
单片清洗之后,将单片甩干水分后烘干,将腐蚀膜贴在单片上,腐蚀膜上部设有耐腐蚀层,耐腐蚀层上设有空缺,空缺分布按照设定的图案进行设定;将腐蚀液喷撒在腐蚀膜上表面,腐蚀液沿空缺将腐蚀膜腐蚀后继续腐蚀单片并形成腐蚀槽;腐蚀时间为10~15秒,腐蚀温度为30~40℃;腐蚀后将腐蚀膜揭起,并使用蒸馏水冲洗单片。
上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为发明的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的