[发明专利]一种FinFET虚拟图案的插入方法有效
| 申请号： | 201410705663.3 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105631081B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 樊强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 虚拟 图案 插入 方法 | ||
1.一种FinFET虚拟图案的插入方法，包括：
步骤S1：设计具有鳍片网格的虚拟叠层单元，所述虚拟叠层单元包括有源区虚拟图案，其中，所述有源区虚拟图案位于所述鳍片网格上；
步骤S2：定义尺寸较小的鳍片虚拟边界层图案，所述鳍片虚拟边界层图案具有位于所述鳍片网格上的特征；
步骤S3：在图样设计鳍片边界中插入所述虚拟叠层单元；
步骤S4：在版图中图样设计鳍片边界以外的空白区域连续的插入所述尺寸较小的鳍片虚拟边界层图案，以形成鳍片网格连续一体的鳍片边界层区域，在所述一体的鳍片边界层区域中根据所述鳍片网格插入所述虚拟叠层单元，以使所述虚拟叠层单元中的有源区虚拟图案位于所述鳍片网格上。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中所述虚拟叠层单元的设计符合图样图层设计规则。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中所述虚拟叠层单元包括叠层边界层，用于定义所述虚拟叠层单元的大小，所述虚拟叠层单元中的各图案位于所述叠层边界层内。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述叠层边界层位于所述鳍片网格上。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中所述有源区虚拟图案覆盖若干行所述鳍片网格，而且上下边界位于所述鳍片网格上。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中所述鳍片虚拟边界层图案的定义符合设计规则。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中所述图样设计鳍片边界中具有所述鳍片网格。
8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中以所述图样设计鳍片边界的左下角、右下角、左上角或者右上角作为初始点插入所述虚拟叠层单元，以使所述叠层单元中的有源区虚拟图案位于所述图样设计鳍片边界图层的鳍片网格上。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4中所述鳍片虚拟边界层图案之间没有间隙的相互连接形成一体。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4中所述鳍片虚拟边界层中的鳍片网格对齐相互连接形成鳍片网格连续的一体。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中以所述一体的鳍片边界层区域的左下角、右下角、左上角或者右上角作为初始点插入所述虚拟叠层单元。
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