[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410707060.7 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105702581B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 周洁鹏;陈志刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成栅极堆叠结构；
在所述半导体衬底上形成应力层覆盖所述栅极堆叠结构；
对所述应力层表面进行臭氧等离子体处理，以在所述应力层表面形成氧化薄层，所述氧化薄层的厚度范围为
在所述臭氧等离子体处理后，在所述应力层上形成层间介质层；
采用高深宽比工艺形成所述层间介质层，采用正硅酸乙酯形成所述层间介质层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述臭氧等离子体处理中，采用的臭氧流量范围为17000sccm～18000sccm。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述臭氧等离子体处理中，采用的处理时间范围为35s～45s。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述臭氧等离子体处理中，采用的温度范围为370℃～430℃。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述臭氧等离子体处理中，采用的压强范围为4Tott～10Tott。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为氮化硅。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述应力层具有拉伸应力或者压缩应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
