[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底以及位于基底表面的介质层，所述基底内具有底层金属层；

刻蚀所述介质层，形成贯穿介质层的开口，且所述开口底部暴露出底层 金属层表面；

对所述开口侧壁处的介质层进行预修复照射处理，增加开口侧壁处的介 质层表面接触角；

在进行所述预修复照射处理之后，对所述开口进行湿法清洗处理；

形成填充满所述开口的导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行所述 预修复照射处理后，所述开口侧壁处的介质层表面的疏水性增强。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预 修复照射处理采用的波长为200纳米至1000纳米。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行所述 预修复照射处理后，所述开口侧壁处的介质层表面接触角角度为92度至 110度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法清 洗处理的刻蚀液体包括氢氟酸溶液或双氧水溶液。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述导 电层的工艺步骤包括：形成填充满所述开口的导电层，所述导电层还位于 介质层表面；去除高于介质层表面的导电层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述 高于介质层表面的导电层之后，对所述介质层进行第二次预修复照射处理。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用多道研 磨工艺，去除所述高于介质层表面的导电层；且在每一次研磨工艺之后， 对所述介质层进行一次第二次预修复照射处理。

9.根据权利要求7或8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行 所述第二次预修复照射处理后，介质层表面的接触角变大，介质层的疏水 性增强。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二次 预修复照射处理采用的波长为200纳米至1000纳米。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述 开口之前、进行预修复照射处理之后，还包括步骤：采用含氮等离子体对 所述开口进行刻蚀后处理。

12.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述开 口的工艺步骤包括：在所述介质层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层 内形成有暴露出部分介质层表面的第一凹槽；然后形成覆盖于第一掩膜层 表面以及介质层表面的第二掩膜层，所述第二掩膜层内形成有第二凹槽， 且所述第二凹槽尺寸小于第一凹槽尺寸；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀 去除部分厚度的介质层；去除所述第二掩膜层；然后以所述第一掩膜层为 掩膜，继续刻蚀所述介质层，直至暴露出底层金属层表面，形成所述开口。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩 膜层的材料为SiN、SiC、SiCN、Ta、Ti、Tu、TaN、TuN或WN。

14.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩 膜层包括有机分布层、位于有机分布层表面的底部抗反射涂层、以及位于 底部抗反射涂层表面的光刻胶层。

15.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层 的材料为SiO₂、低k介质材料或超低k介质材料。

16.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述 开口之前，还包括步骤：在所述介质层表面形成钝化层。

17.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底 和介质层之间形成有刻蚀停止层。

18.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电层 包括：位于开口底部和侧壁表面的导电阻挡层、以及位于导电阻挡层表面 且填充满开口的导电体层。