[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括第一器件层和位于所述第一器件层之上的第二器件层，其中第一器件层包括衬底上的第一多个鳍片结构、以及横跨所述第一多个鳍片结构的第一栅极堆叠结构，第二器件层包括第二多个鳍片结构、以及横跨所述第二多个鳍片结构的第二栅极堆叠结构，其中，第二多个鳍片结构的每一个第二鳍片位于第一多个鳍片结构的相邻两个第一鳍片之间，第二多个鳍片结构与第一栅极堆叠结构之间具有绝缘隔离层。

2.如权利要求1的半导体器件，其中，所述第二多个鳍片结构的鳍片之间的节距等于所述第一多个鳍片结构的鳍片之间的节距。

3.如权利要求1的半导体器件，其中，第二多个鳍片结构的每一个第二鳍片位于第一多个鳍片结构的相邻两个第一鳍片之间的正中处。

4.如权利要求1的半导体器件，其中，所述第二栅极堆叠结构与第一栅极堆叠结构垂直对准并且具有相同的节距。

5.如权利要求1的半导体器件，其中，第二栅极堆叠结构和第一栅极堆叠结构均包括各自的栅极绝缘层和栅极导电层，相邻器件层的栅极导电层之间通过各自的栅极绝缘层而绝缘隔离。

6.如权利要求1的半导体器件，其中，半导体器件具有相互交替堆叠的多个第一器件层和多个第二器件层。

7.一种半导体器件制造方法，包括步骤：

a、在衬底上形成第一多个鳍片结构；

b、形成横跨在第一多个鳍片结构上的第一栅极堆叠结构，与第一多个鳍片结构一起构成第一器件层；

在第二多个鳍片结构与第一栅极堆叠结构之间形成绝缘隔离层；

c、以第一栅极堆叠结构两侧的第一多个鳍片结构为种晶层，外延生长形成外延层；

d、刻蚀外延层形成第二多个鳍片结构，其中第二多个鳍片结构的每个第二鳍片在第一多个鳍片结构的相邻两个第一鳍片之间；

e、形成横跨在第二多个鳍片结构上的第二栅极堆叠结构，与第二多个鳍片结构一起构成第二器件层。

8.如权利要求7的方法，其中，所述第二多个鳍片结构的鳍片之间的节距等于所述第一多个鳍片结构的鳍片之间的节距。

9.如权利要求7的方法，其中，第二多个鳍片结构的每一个第二鳍片位于第一多个鳍片结构的相邻两个第一鳍片之间的正中处。

10.如权利要求7的方法，其中，所述第二栅极堆叠结构与第一栅极堆叠结构垂直对准并且具有相同的节距。

11.如权利要求7的方法，其中，第二栅极堆叠结构和第一栅极堆叠结构均包括各自的栅极绝缘层和栅极导电层，相邻器件层的栅极导电层之间通过各自的栅极绝缘层而绝缘隔离。

12.如权利要求7的方法，其中，交替循环执行步骤a至e，使得半导体器件具有相互交替堆叠的多个第一器件层和多个第二器件层。