[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

激光部形成工序，在该工序中，在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在所述成活性层上形成的上部半导体层、以及在所述上部半导体层上形成的掩模；

半导体层形成工序，在该工序中，由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与所述激光部的侧面接触，在与所述激光部接触的部分处具有凸部；

湿蚀刻工序，在该工序中，通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将所述凸部去除，使所述化合物半导体层变平坦；以及

在所述湿蚀刻工序之后将所述掩模去除，形成接触层的工序，该接触层将所述化合物半导体层和所述上部半导体层覆盖，

通过所述湿蚀刻工序，在所述掩模下的所述上部半导体层形成(111)A面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述化合物半导体层与所述激光部的(011)面或者(0－1－1)面接触，

所述蚀刻剂在所述氢溴酸和所述醋酸的基础上，还包含氧化剂。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述上部半导体层由InP形成，

所述化合物半导体层由InP、AlInP、InGaP、AlGaInP、InGaAsP、InAs、InGaAs、AlInAs、AlGaInAs、GaInNAs中的任意一种形成。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述掩模由在所述湿蚀刻工序中所述掩模的蚀刻速度比所述凸部的蚀刻速度慢的材料形成。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述掩模由外延层形成。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述湿蚀刻工序之后的所述化合物半导体层的表面露出(100)面。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述化合物半导体层构成电流阻挡层、光调制器、光波导、光耦合器或者光放大器。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述光调制器是EA调制器或者相位调制器。