[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

提供一种半导体装置的制造方法，其能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除，而不会产生问题，该半导体装置的制造方法具有：激光部形成工序，该工序在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，该工序由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与该激光部的侧面接触，在与该激光部接触的部分处具有凸部；以及湿蚀刻工序，该工序通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将该凸部去除，并将该化合物半导体层平坦化。而且，通过该湿蚀刻工序，在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。

技术领域

本发明涉及一种例如在光通信等中使用的半导体装置的制造方法。

背景技术

专利文献1公开了下述内容，即，如果在隆起条纹的左右外延生长化合物半导体层(InP掩埋层)，则会在化合物半导体层形成凸部。在专利文献1中公开的技术是使用由盐酸、醋酸和过氧化氢构成的蚀刻剂对该凸部进行湿蚀刻。

专利文献1：日本特开2002－246684号公报

由于化合物半导体层的凸部使半导体装置的特性劣化，因此，优选将其去除。该凸部能够通过湿蚀刻进行去除。但是，存在下述问题，即，与化合物半导体层接触并且在活性层上形成的上部半导体层通过被进行湿蚀刻，从而露出活性层。如果活性层露出，则活性层表面发生氧化而引起半导体装置的光限制性等发生劣化。因此，在将凸部去除时，应该以活性层不露出的方式进行。另外，如果上部半导体层的蚀刻量增加，则损害光限制效果，因此，应该抑制上部半导体层的蚀刻量。

在专利文献1所公开的技术中，在对该凸部进行湿蚀刻时，通过包层(上部半导体层)上的接触层以及速度调整层，防止包层的蚀刻。而且，为了可靠地防止包层的蚀刻，需要将接触层以及速度调整层的层厚加厚，存在制造成本增加的问题。并且，存在下述问题，即，掺杂于接触层的掺杂剂由于化合物半导体层形成时的高温而发生扩散，降低半导体装置的特性。

另外，在专利文献1中，为了抑制包层的蚀刻，将构成化合物半导体层的凸部的生长停止面(111)表面设为比速度调整层的上表面高。因此，存在化合物半导体层的层厚受到限定的问题。

发明内容

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种半导体装置的制造方法，通过该半导体装置的制造方法，能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除，而不会产生问题。

本申请的发明所涉及的半导体装置的制造方法具有：激光部形成工序，在该工序中，在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，在该工序中，由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与该激光部的侧面接触，在与该激光部接触的部分处具有凸部；以及湿蚀刻工序，在该工序中，通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将该凸部去除，并将该化合物半导体层变平坦。而且，通过该湿蚀刻工序，在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。

发明的效果

根据本发明，在湿蚀刻工序中，在上部半导体层形成(111)A面，使上部半导体层的侧蚀停止，因此，能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除。

附图说明

图1是表示实施方式1所涉及的激光部的剖面图。

图2是表示化合物半导体层的剖面图。

图3是湿蚀刻的中途的化合物半导体层等的剖面图。

图4是湿蚀刻结束时的半导体装置的剖面图。

图5是表示形成接触层后的半导体装置的剖面图。