[发明专利]图像传感器的封装件和图像传感器的封装方法有效
申请号: | 201410709680.4 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104377217B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 李杰 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 吴圳添,骆苏华 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 封装 方法 | ||
1.一种图像传感器的封装件,其特征在于,包括:
透光基板;
支撑侧墙,所述支撑侧墙的上表面粘接于所述透光基板;
图像传感器芯片,所述图像传感器芯片表面具有感光区和非感光区,所述非感光区具有匹配于所述支撑侧墙的粘接区,所述粘接区为围绕感光区的环形结构,所述支撑侧墙的下表面和所述粘接区通过粘性物质粘接在一起;
所述非感光区还具有用于引导粘性物质远离感光区流动的引流结构,所述引流结构具有相连的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述粘接区,所述第二部分位于所述粘接区外围。
2.如权利要求1所述的图像传感器的封装件,其特征在于,所述引流结构为微透镜阵列。
3.如权利要求1所述的图像传感器的封装件,其特征在于,所述引流结构为沟槽结构。
4.如权利要求3所述的图像传感器的封装件,其特征在于,所述沟槽结构包括多个分别与其相邻的粘接区成一夹角并延伸到所述粘接区外围的沟槽。
5.如权利要求1-4中任一项所述的图像传感器的封装件,其特征在于,所述引流结构沿着所述粘接区的环形连续地延伸。
6.如权利要求1-4中任一项所述的图像传感器的封装件,其特征在于,所述引流结构沿着所述粘接区的环形非连续地延伸。
7.如权利要求6所述的图像传感器的封装件,其特征在于,所述引流结构沿着所述粘接区延伸的总长度至少为所述粘接区的环形周长的50%。
8.如权利要求1-4中任一项所述的图像传感器的封装件,其特征在于,所述引流结构的所述第一部分的宽度至少为所述粘接区的环形宽度的50%。
9.如权利要求1-4中任一项所述的图像传感器的封装件,其特征在于,所述引流结构的所述第二部分的宽度至少为10μm。
10.如权利要求1-4中任一项所述的图像传感器的封装件,其特征在于,粘性物质为液态胶粘剂。
11.如权利要求1-4中任一项所述的图像传感器的封装件,其特征在于,所述透光基板为玻璃基板或塑料基板。
12.一种图像传感器的封装方法,其特征在于,包括:
提供透光基板和支撑侧墙;
提供晶圆,于所述晶圆上形成间隔排布的多个图像传感器芯片,形成位于所述图像传感器芯片上的第一微透镜阵列;相邻所述图像传感器芯片之间具有切割道,每个所述图像传感器芯片表面具有感光区和非感光区,所述非感光区具有匹配于所述支撑侧墙的粘接区,所述粘接区为围绕感光区的环形结构;
在所述非感光区上制作引流结构,所述引流结构具有相连的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述粘接区,所述第二部分位于所述粘接区外围;
将所述支撑侧墙的上表面和所述透光基板粘接在一起,将所述支撑侧墙的下表面通过粘性物质和所述粘接区粘接在一起,其中,所述引流结构引导粘性物质远离感光区流动;
沿所述切割道对所述晶圆进行切割,以形成独立的封装件。
13.如权利要求12所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,在制作位于所述感光区上的第一微透镜阵列时,同时在所述非感光区上制作第二微透镜阵列,所述第二微透镜阵列作为所述引流结构。
14.如权利要求12所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,在所述非感光区上制作沟槽结构作为所述引流结构。
15.如权利要求14所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,在所述非感光区上制作多个分别与其相邻的粘接区成一夹角并延伸到所述粘接区外围的沟槽,以作为所述引流结构。
16.如权利要求12-15中任一项所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,沿着所述粘接区的环形连续地制作所述引流结构。
17.如权利要求12-15中任一项所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,沿着所述粘接区的环形非连续地制作所述引流结构。
18.如权利要求17所述的图像传感器的封装方法,其特征在于,所述引流结构沿着所述粘接区延伸的总长度至少为所述粘接区的环形周长的50%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的