[发明专利]图像传感器的封装件和图像传感器的封装方法有效
申请号: | 201410709680.4 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104377217B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 李杰 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 吴圳添,骆苏华 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种图像传感器的封装件和图像传感器的封装方法。
背景技术
目前,主流的图像传感器(Image Sensor)芯片封装技术包括:COB(Chips On Board)和CSP(Chip Scale Packaging)。其中CSP是指芯片尺寸封装和芯片核心尺寸基本相同的芯片封装技术,CSP内核面积与封装面积的比例约为1:1.1,凡是符合这一标准的封装都可以称之为CSP。这样的封装形式大大提高了印刷电路板(PCB)上的集成度,减小了电子器件的体积和重量,提高了产品的性能。
在CSP的晶圆级(Wafer Level)封装的过程中,往往首先将包含有若干图像传感器芯片的晶圆本体键合于玻璃材质的封装基板上,在封装基板上预先制作对应环绕于每一图像传感器芯片的支撑侧墙中。其中,每个图像传感器芯片包括感光区(图像感应区)和环绕该感光区的非感光区(非图像感应区),通常在非感光区中通过支撑侧墙(dam)将晶圆级玻璃与晶圆邦定,支撑侧墙同时将该晶圆上相邻图像传感器芯片隔开。
然而,当支撑侧墙与晶圆之间通过液态胶粘剂进行粘合时,液态胶粘剂会在压力作用下向着支撑侧墙的两侧流动,其中流向支撑侧墙内侧的液态胶粘剂可能进入图像感应区,污染感光区表面,影响感光性能。
随着对单个芯片尺寸减小的需求日益强烈,感光区边缘与相邻支撑侧墙内侧边缘之间的距离也相应减小。在这种情况下,液态胶粘剂更加容易进入感光区,污染问题更加显著,严重影响产品良率。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种图像传感器的封装件和图像传感器的封装方法,以改善图像传感器芯片的感光性能,提高了图像传感器的封装良率和封装质量。
为解决上述问题,本发明提供一种图像传感器的封装件,包括:
透光基板;
支撑侧墙,所述支撑侧墙的上表面粘接于所述透光基板;
图像传感器芯片,所述图像传感器芯片表面具有感光区和非感光区,所述非感光区具有匹配于所述支撑侧墙的粘接区,所述粘接区为围绕感光区的环形结构,所述支撑侧墙的下表面和所述粘接区通过粘性物质粘接在一起;
所述非感光区还具有用于引导粘性物质远离感光区流动的引流结构,所述引流结构具有相连的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述粘接区,所述第二部分位于所述粘接区外围。
可选的,所述引流结构为微透镜阵列。
可选的,所述引流结构为沟槽结构。
可选的,所述沟槽结构包括多个分别与其相邻的粘接区成一夹角并延伸到所述粘接区外围的沟槽。
可选的,所述引流结构沿着所述粘接区的环形连续地延伸。
可选的,所述引流结构沿着所述粘接区的环形非连续地延伸。
可选的,所述引流结构沿着所述粘接区延伸的总长度至少为所述粘接区的环形周长的50%。
可选的,所述引流结构的所述第一部分的宽度至少为所述粘接区的环形宽度的50%。
可选的,所述引流结构的所述第二部分的宽度至少为10μm。
可选的,粘性物质为液态胶粘剂。
可选的,所述透光基板为玻璃基板或塑料基板。
为解决上述问题,本发明还提供了一种图像传感器的封装方法,包括:
提供透光基板和支撑侧墙;
提供晶圆,于所述晶圆上形成间隔排布的多个图像传感器芯片,形成位于所述图像传感器芯片上的第一微透镜阵列;相邻所述图像传感器芯片之间具有切割道,每个所述图像传感器芯片表面具有感光区和非感光区,所述非感光区具有匹配于所述支撑侧墙的粘接区,所述粘接区为围绕感光区的环形结构;
在所述非感光区上制作引流结构,所述引流结构具有相连的第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述粘接区,所述第二部分位于所述粘接区外围;
将所述支撑侧墙的上表面和所述透光基板粘接在一起,将所述支撑侧墙的下表面通过粘性物质和所述粘接区粘接在一起,其中,所述引流结构引导粘性物质远离感光区流动;
沿所述切割道对所述晶圆进行切割,以形成独立的封装件。
可选的,在制作位于所述感光区上的第一微透镜阵列时,同时在所述非感光区上制作第二微透镜阵列,所述第二微透镜阵列作为所述引流结构。
可选的,在所述非感光区上制作沟槽结构作为所述引流结构。
可选的,在所述非感光区上制作多个分别与其相邻的粘接区成一夹角并延伸到所述粘接区外围的沟槽,以作为所述引流结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的