[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体衬底；

在衬底上形成第一半导体层，以及在第一半导体层上依次形成具有第一类型沟道材料的第二半导体层和具有第二类型沟道材料的第三半导体层的叠层；

在叠层中形成第一刻蚀槽，并通过第一刻蚀槽去除部分第一半导体层，以形成第一空腔；

填充第一刻蚀槽及第一空腔，以分别形成第一介质槽和第一埋层；

在叠层中形成第二刻蚀槽，并通过第二刻蚀槽去除剩余的第一半导体层，以形成第二空腔；

填充第二刻蚀槽及第二空腔，以分别形成第二介质槽和第二埋层，第一介质槽与第二介质槽首尾相接并构成隔离沟槽；

去除部分区域上的第三半导体层，以形成第一类型器件区域和第二类型器件区域。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，第一刻蚀槽为隔离沟槽的一部分，第二刻蚀槽为隔离沟槽的另一部分。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，第一刻蚀槽和第二刻蚀槽为L型。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用外延工艺，在衬底上形成第一半导体层，以及第一半导体层上的叠层。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一半导体层和第三半导体层具有相同的材料。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述第一半导体层和第三半导体层为Ge_xSi_1-x，其中0<x<1，所述第二半导体层为硅。

7.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在形成第一空腔的步骤中，在通过第一刻蚀槽去除部分第一半导体层的步骤之前，还包括：在第一刻蚀槽的侧壁上形成第一掩盖层；

在形成第二空腔的步骤中，在通过第二刻蚀槽去除剩余的第一半导体层的步骤之前，还包括：在第二刻蚀槽的侧壁上形成第二掩盖层。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括第一类型器件区域和第二类型器件区域，其中：

第一类型器件区域包括：

半导体衬底；

半导体衬底上的埋层；

埋层上的第二半导体层；

贯通第二半导体层、与埋层相接的介质槽；

第二类型器件区域包括：

半导体衬底；

半导体衬底上的埋层；

埋层上依次层叠的第二半导体层和第三半导体层；

贯通第二半导体层和第三半导体层、与埋层相接的介质槽；

其中，第二半导体层具有第一类型沟道材料，第三半导体层具有第二类型沟道材料；

所述埋层包括相邻的第一埋层和第二埋层，介质槽包括第一介质槽和第二介质槽，第一介质槽位于第一埋层之上，第二介质槽位于第二埋层之上，第一介质槽与第二介质槽首尾相接。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，第一介质槽和第二介质槽组成隔离结构。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，第一介质槽和第二介质槽为L型。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为体硅衬底，所述第二半导体层为Ge_xSi_1-x，其中0<x<1，第三半导体层为硅。