[发明专利]一种改善剥落型缺陷的方法在审
| 申请号： | 201410710193.X | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104465415A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 侯宁普;王福喜;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 剥落 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善剥落型缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一石英保护环；
对保护环进行打磨工艺和清洗工艺；
测试保护环表面的粗糙度系数；
于保护环的表面制备一层石英膜层，所述石英膜层的摩擦系数比所述保护环表面粗糙度系数大，以增加石英保护环的黏附力。
2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述石英保护环表面的粗糙度系数为0.8μm。
3.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述石英膜层的粗糙度系数为2.6μm。
4.如权利要求1所述方法，其特征在于，使用电镀的方法制备所述石英膜层。
5.如权利要求4所述方法，其特征在于，所述石英膜层的材质与保护环表面材质相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
