[发明专利]一种改善剥落型缺陷的方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种改善剥落型缺陷的方法。 

背景技术

在微电子领域顶层钝化膜刻蚀工艺中，通常采用等离子体对金属介质膜进行刻蚀。其原理是等离子体与金属介质膜发生反应，生成高分子的刻蚀反应聚合物，保护环表面有一定的粗糙度系数，并且这些聚合物分子间有范德华力，因此刻蚀工艺生成的高分子聚合物可以黏附于保护环的表面。 

但是随着刻蚀时数的增加，这些高分子聚合物在等离子的轰击下，破坏了其与保护环之间的范德华力，这层黏附在保护环表面的高分子聚合物会在等离子体的轰击下发生脱落，形成颗粒污染，一般当RF(Radio Frequency，射频，简称RF)时数到达80小时后，使其脱落，在靠近slit door(阀门)的地方尤为严重。这些高分子反应聚合物覆盖于晶圆的表面，阻挡了等离子体对覆盖下层膜之间的反应而产生缺陷，也就是所谓的剥落型缺陷，导致器件的失效，降低了产品的良率。因此如何增加高分子聚合物与保护环之间的黏附力，以减小保护环的更换频率，延长其用寿命显成为本领域技术人员面临的一大难题。 

发明内容

针对上述问题，本发明提出一种改善剥落型缺陷的方法，通过在保护环表面电镀一保护膜层，增加了保护环与刻蚀过程中产生的刻蚀聚合生成物的黏附力，有效避免了随着射频时间的增长导致刻蚀聚合生成物脱落的现象，从而缩小了保护环的更换频率，减轻了剥落型缺陷，延长了保护环的使用寿命。 

一种改善剥落型缺陷的方法，其中，所述方法包括： 

提供一石英保护环； 

对保护环进行打磨工艺和清洗工艺； 

于保护环的表面制备一层石英膜层，所述石英膜层的摩擦系数比所述保护环表面粗糙度系数大，以增加保护环的黏附力。 

上述方法，其中，所述石英保护环表面的粗糙度系数为0.8μm。 

上述方法，其中，所述石英膜层的粗糙度系数为2.6μm。 

上述方法，其中，所述进行打磨工艺和清洗工艺后的步骤还包括： 

测试保护环的粗糙度系数。 

上述方法，其中，使用电镀的方法制备所述石英膜层。 

上述方法，其中，所述石英膜层的材质与保护环表面材质相同。 

上述发明具有如下优点或者有益效果： 

本发明公开了一种改善剥落型缺陷的方法，通过打磨工艺和清洗工艺处理保护环表面，然后在处理后的保护环表面电镀一层石英膜层，增加保护环表面的粗糙度系数，从而有效增加了保护环表面与刻蚀产生的高分子聚合物的黏附力，有效避免高分子聚合物随着RF时 间的增加而剥落造成的剥落型缺陷，从而缩小了保护环的更换频率，延长了保护环的使用寿命。 

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。 

图1是改善剥落型缺陷方法流程图。 

实施方式 

下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。 

针对上述存在的问题，本发明披露了一种改善剥落型缺陷的方法，通过对保护环表面进行打磨工业和清洗工艺，然后反复测试保护环表面粗糙度系数，发现当保护环表面粗糙度系数为2.6μm时剥落型缺陷可以得到有效改善，通过在保护环表面电镀一层石英膜层，增大保护环表面的粗糙度系数，有效增加了保护环与刻蚀产生的高分子聚合物的黏附力，有效避免了刻蚀过程中产生的高分子聚合物随着RF时间的增加而剥落引起的剥落型缺陷，从而缩小了保护环的更换频率，延长了保护环的使用寿命。下面结合附图对本发明作进一步阐述。 

参照附图1所示结构，首先对保护环进行打磨工艺和清洗工艺， 打磨过程中难免出现一些微小的颗粒，通过清洗工艺可以有效将打磨过程出现的微小颗粒清除，并同时可以清除保护环表面的其他异物。 

对保护环表面进行打磨工艺和清洗工艺后，反复实验测试保护环表面的粗糙度系数，通过反复测试得出，当保护环表面粗糙度系数为2.6μm时，剥落型缺陷可以得到有效改善。 

保护环表面粗糙度系数为0.8μm，随着RF时数的增加，保护环表面0.8μm的粗糙度系数将不能满足有效阻止刻蚀过程中产生的高分子聚合物从保护环表面脱落，从而形成剥落型缺陷，优选的，本发明所选高分子聚合物为含氟聚合物。