[发明专利]一种半导体接触孔的刻蚀方法

权利要求书

1.一种半导体接触孔的刻蚀方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一、提供一基底，所述基底上形成有多个导电结构；

步骤二、于所述基底上形成一覆盖所述基底和导电结构的第一SiN层；

步骤三、于所述第一SiN层上方形成SiO₂层；

步骤四、于所述SiO₂层上方形成第二SiN层；

步骤五、于所述第二SiN层上方沉积形成一SiO₂的ILD层；

步骤六、平坦化所述ILD层，并于所述ILD层表面形成ILD cap层；

步骤七、所述ILD cap层从上而下依次包括有光刻胶层和抗反射涂层，于所述光刻胶层中刻蚀形成接触孔图案；

步骤八、利用所述接触孔图案进行刻蚀，以将各导电结构及位于导电结构两侧的源/漏极予以外露。

2.根据权利要求1所述的半导体接触孔的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤二，和/或所述步骤三，和/或所述步骤四中，采用等离子体增强化学气相沉积工艺，以形成第一SiN层，和/或SiO₂层，和/或第二SiN层，和/或ILD层。

3.根据权利要求1所述的半导体接触孔的刻蚀方法，其特征在于：所述第一SiN层所承受的拉应力或压应力的范围0～10Gpa。

4.根据权利要求1所述的半导体接触孔的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤五中，采用高纵深比制程工艺或高密度等离子工艺生成所述ILD层。

5.根据权利要求1所述的半导体接触孔的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤六中，所述平坦化为化学机械研磨工艺。

6.根据权利要求1所述的半导体接触孔的刻蚀方法，其特征在于：采用等离子体增强化学气相沉积工艺于所述ILD层表面形成ILD cap层。

7.根据权利要求1所述的半导体接触孔的刻蚀方法，其特征在于：于步骤八中，采用分步刻蚀的方法形成所述接触孔；包括

步骤八一、图案化所述光刻胶层和所述抗反射涂层(BARC)；

步骤八二、以光刻胶层为掩膜，以所述第一SiN层为停止层对所述ILD层进行图案化刻蚀；

步骤八三、灰化剥离所述光刻胶层并移除所述抗反射涂层；

步骤八四、以所述SiO₂层为停止层，图案化刻蚀所述第一SiN层；

步骤八五、以所述第二SiN层为停止层，图案化刻蚀所述SiO₂层；

步骤八六、以所述基底表面为停止层，图案化刻蚀所述第二SiN层。

8.根据权利要求7所述的半导体接触孔的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤八四、所述步骤八六中，采用CH₃F气体进行刻蚀。

9.根据权利要求7所述的半导体接触孔的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤八五中，采用C₄F₆气体进行刻蚀。