[发明专利]靶材加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种靶材加工方法。

背景技术

在半导体制造中常用到溅射沉积(SputteringDeposition,SD)工艺，这种 工艺用于将金属溅射到衬底上以粘贴薄膜。这种工艺是物理气相沉积(Physical VaporDeposition,PVD)中的一种，通过高能量粒子轰击靶材，使被轰击的靶 材原子沉积在待沉积的基底表面上粘贴薄膜。所述高能量粒子工艺是通过专 门的溅射设备来完成的。

由于在溅射过程中，靶材的边缘处上会留有溅射产生的颗粒物，这些颗 粒物逐渐积累变成沉积物。沉积物在靶材上聚集到一定程度后会发生剥落现 象(peeling)，剥落的沉积物不仅会影响溅射环境，还容易掉落在产品表面 上，导致产品有缺陷甚至报废。为此，现有技术会对靶材的部分非溅射区域 进行喷砂处理，这样经过喷砂的部分表面变得粗糙，进而变得容易吸附沉积 物，减少剥落现象发生的几率。

但是，现有技术在对靶材进行喷砂的同时，很容易损伤到靶材的其他不 需要喷砂的表面，这会对靶材的成品率造成影响。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种靶材加工方法，以较好的对靶材的部分表 面进行喷砂处理，同时不影响到靶材的其他不需要喷砂的部分。

为解决上述问题，本发明提供一种靶材加工方法，包括：

提供靶材，所述靶材包括待喷砂区域以及不需要喷砂的保留区域；

至少在所述保留区域靠近待喷砂区域的部分，以及部分待喷砂区域粘贴 保护层；

去除位于待喷砂区域的保护层，以完全露出靶材的待喷砂区域；

对靶材的待喷砂区域进行喷砂处理；

在喷砂处理的步骤之后，去除靶材上剩余的保护层。

可选的，粘贴保护层的步骤包括，在靶材表面覆盖胶带。

可选的，所述胶带为聚氯乙烯胶带、聚酯薄膜胶带、铁氟龙胶带或者聚 丙烯薄膜胶带。

可选的，粘贴保护层的步骤包括：粘贴厚度在0.12mm～0.15mm范围内 的胶带。

可选的，提供靶材的步骤包括：提供非圆形靶材；去除位于待喷砂区域 的保护层的步骤包括：采用铣削的方式去除所述待喷砂区域的保护层。

可选的，提供靶材的步骤包括：提供圆形靶材；

去除位于待喷砂区域的保护层的步骤包括：采用车削的方式去除所述待 喷砂区域的保护层。

可选的，去除位于待喷砂区域的保护层的步骤包括：在车刀与粘贴有保 护层的靶材表面之间设置不大于保护层厚度的间隙。

可选的，使所述间隙在0.02mm～0.04mm的范围内。

可选的，采用车削的方式去除所述待喷砂区域的保护层的步骤还包括： 使车削机床的转速在250～550转/分钟的范围内，车削进给量在每转0.015～ 0.025mm的范围内。

可选的，去除位于待喷砂区域的保护层的步骤之后，进行喷砂处理的步 骤之前，所述靶材加工方法还包括：采用刀片对于靶材待喷砂区域表面进行 去胶处理。

可选的，粘贴保护层的步骤之后，进行喷砂处理的步骤之前，所述靶材 加工方法还包括：采用盖板对保留区域未粘贴保护层的部分进行遮挡。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

至少在所述靶材保留区域靠近待喷砂区域的部分，以及部分待喷砂区域 粘贴保护层有利于提升在靶材上覆盖保护层的效率，因为在实际操作中很难 实现仅仅在靶材保留区域覆盖保护层，因此在保留区域均覆盖保护层的同时， 覆盖的保护层容易有一部分延伸到靶材的待喷砂区域；在这之后，再去除位 于靶材的待喷砂区域的保护层，这样将靶材的待喷砂区域完全露出以便后续 进行喷砂处理。此时，由于保护层粘贴在靶材保留区域的表面，靶材与保护 层之间没有间隙，相对于现有技术采用挡板遮挡保留区域的方式，本发明在 喷砂处理时，喷砂颗粒不会进入到靶材保留区域表面与保护层之间，进而很 好的保护了靶材的保留区域，提升了靶材的良率。

进一步，在靶材表面覆盖胶带，也就是说，采用胶带作为保护层可以进 一步避免靶材的保留区域不受影响，因为胶带材质柔软，相比现有技术的硬 质挡板来说，基本不会划伤靶材表面。

附图说明

图1至图6是本发明靶材加工方法一实施例中各个步骤的示意图。