[发明专利]分离式元件的制造方法有效
| 申请号： | 201410714323.7 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104465324A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊;陈俊峰;周雯 | 申请（专利权）人： | 上海芯亮电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200233 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分离 元件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种分离式元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，普通研磨方式对晶圆减薄，将晶圆研磨掉第一部分；
步骤二，微细研磨方式对晶圆减薄，将晶圆研磨掉第二部分；
步骤三，通过湿式蚀刻方式在步骤二处理好的晶圆上形成均匀表面粗糙度；通过混合式溶液来移除细微的晶背表面的缺陷；
步骤四，实施晶背金属沉积工艺，在步骤三处理后的晶圆上沉积晶背金属。
2.根据权利要求1所述的分离式元件的制造方法，其特征在于，所述第一部分的厚度大于第二部分的厚度。
3.根据权利要求1所述的分离式元件的制造方法，其特征在于，所述混合式溶液包括H2SO4、HNO3、HF、水、界面活性剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
