[发明专利]分离式元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种元件的制造方法，具体地，涉及一种分离式元件的制造方法。

背景技术

分离式元件的制造过程中需要晶背减薄工艺和晶背金属沉积工艺，但是在晶背减薄工艺上常因晶背机械式研磨而造成细微裂痕或深层晶格损伤(如图5所示)，形成结构上的缺陷，造成晶背金属在后续制程中剥离而引起生产损失或元件质量问题。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种分离式元件的制造方法，其获得更佳的晶背表面粗糙度(roughness)的均匀性和降低晶背金属剥离(peeling)的风险，从而降低生产损失或元件质量问题。

根据本发明的一个方面，提供一种分离式元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，普通研磨方式对晶圆减薄，将晶圆研磨掉第一部分；

步骤二，微细研磨方式对晶圆减薄，将晶圆研磨掉第二部分；

步骤三，通过湿式蚀刻方式在步骤二处理好的晶圆上形成均匀表面粗糙度；通过混合式溶液来移除细微的晶背表面的缺陷；

步骤四，实施晶背金属沉积工艺，在步骤三处理后的晶圆上沉积晶背金属。

优选地，所述第一部分的厚度大于第二部分的厚度。

优选地，所述混合式溶液包括H2SO4、HNO3、HF、水、界面活性剂。

与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：本发明晶背减薄工艺采用混合机械式微细研磨减薄的制程和湿式蚀刻的制程来获得更佳的晶背表面粗糙度(roughness)的均匀性和降低晶背金属剥离(peeling)的风险，从而降低生产损失或元件质量问题。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明实施步骤一的示意图。

图2为本发明实施步骤二的示意图。

图3为本发明实施步骤二后的示意图。

图4为本发明实施步骤四的示意图。

图5为以前晶背减薄后的效果示意图。

图6为本发明实施步骤一和步骤二后的效果示意图。

图7为本发明实施步骤三后的效果示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。

如图1至图4所示，本发明分离式元件的制造方法包括以下步骤：

步骤一，普通研磨方式对晶圆减薄，即将晶圆1研磨掉第一部分(图1的虚线部分)2；步骤一的研磨方式可以与以前的研磨方式相同；此研磨后，晶圆背面非常粗糙，高低起伏大小皆不同，常有轻重不等之表面划伤。

步骤二，微细研磨方式对晶圆减薄，即将晶圆1研磨掉第二部分(图2的虚线部分)3，研磨后，晶圆1上会有细微的晶背表面的缺陷4(如图6所示)；第一部分2的厚度大于第二部分3的厚度；微细研磨方式能达到1500-3000Grit的研磨颗粒度。步骤二使晶圆背面表面光滑，无物理划伤的破坏，在不同光线下依然看不见漩涡形的光环，光线反射非常均匀。

步骤三，通过湿式蚀刻方式在步骤二处理好的晶圆上形成均匀表面粗糙度；通过混合式溶液来移除细微的晶背表面的缺陷4(如图7所示)，以增加其与后续制程背面金属的接触面积，以增加其黏合度，起到避免背面金属剥落的作用。混合式溶液(按照重量百分比计)包括H2SO4(80％-90％)、HNO3(10％-20％)、HF(1％-5％)、水(5％-10％)、界面活性剂(1％-3％)；界面活性剂可以是凝胶、BOE等。

步骤四，实施晶背金属沉积工艺，即步骤三处理后的晶圆1上沉积晶背金属5。

本发明晶背减薄工艺采用混合机械式微细研磨减薄的制程和湿式蚀刻的制程来获得更佳的晶背表面粗糙度(roughness)的均匀性和降低晶背金属剥离(peeling)的风险，从而降低生产损失或元件质量问题。

以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。