[发明专利]一种光刻工艺热点的自动修复方法有效
申请号: | 201410714799.0 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104460226B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 王伟斌;朱忠华;魏芳;吕煜坤;朱骏;张旭昇 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 工艺 热点 自动 修复 方法 | ||
1.一种光刻工艺热点的自动修复方法,其特征在于,所述方法包括:
步骤S1、提供一版图,并通过一检查工具套件对版图进行光刻工艺友善性检查;
步骤S2、根据光刻工艺友善性检查的结果,判断版图中是否存在光刻工艺热点,若存在则进行步骤S3,否则结束修复;
步骤S3、通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记,并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域;
步骤S4、通过一修改工具套件对考量数据区域的版图进行修改,并通过检查工具套件对修改进行有效性判定;
步骤S5、保留有效的版图的修复方案;
其中,所述考量数据区域和所述模拟区域为位置标记的放大区域;
所述考量数据区域的半径为b,所述模拟区域的半径为c,
c>b,且c-b>光学模型半径。
2.如权利要求1所述的光刻工艺热点的自动修复方法,其特征在于,所述考量数据区域的半径b的取值范围为:0.5um≤b≤1.5um。
3.如权利要求1所述的光刻工艺热点的自动修复方法,其特征在于,所述光刻工艺热点包括单层次热点和多层次热点。
4.如权利要求3所述的光刻工艺热点的自动修复方法,其特征在于,对于单层次热点,所述版图包括当前层版图,步骤S4中包括:
步骤S41、根据相关层设计规则和当前层设计规则对当前层版图进行修改尝试;
步骤S42、对修改尝试后的当前层版图进行有效性判定;若无效,则放弃此修复方案,若有效,则保存此修复方案;
其中,若有效性判定后的有效数目和尝试数目未达到预先数目设定值,则继续执行步骤S41。
5.如权利要求4所述的光刻工艺热点的自动修复方法,其特征在于,所述尝试数目的预先数目设定值为6~15,所述有效数目的预先数目设定值为3~8,且尝试数目大于有效数目。
6.如权利要求4所述的光刻工艺热点的自动修复方法,其特征在于,对当前层版图进行修改尝试的方法包括:
在考量数据区域内,对当前层版图的边进行移动,且移动距离为0~0.04um。
7.如权利要求3所述的光刻工艺热点的自动修复方法,其特征在于,对于多层次热点,所述版图分为主层版图和次层版图,且步骤S4中包括:
步骤S410、根据相关层设计规则和当前层设计规则对主层版图和次层版图进行修改尝试;
步骤S420、对修改尝试后的主层版图和次层版图进行有效性判定。
8.如权利要求7所述的光刻工艺热点的自动修复方法,其特征在于,对主层版图进行修改尝试的方法包括:在考量数据区域内,对主层版图的边进行移动,且移动距离为0~0.04um。
9.如权利要求7所述的光刻工艺热点的自动修复方法,其特征在于,对次层版图进行修改尝试的方法包括:在考量数据区域内,对次层版图的整个多边形进行移动,且不改变尺寸和形状。
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