[发明专利]一种光刻工艺热点的自动修复方法

说明书

本发明涉及DFM可制造图形设计领域，尤其是涉及到一种光刻工艺热点的自动修复方法，首先对版图进行光刻工艺友善性检查；之后通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记，并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域，最后对数据区域的版图进行修改，并通过检查工具套件对修改进行有效性判定，以提供一种合适的修复方案；该技术方案实现了版图中的光刻工艺热点的快速自动修复和验证，实现了高程度的自动化要求，且其可制造性设计方案的操作性和效率大大提高，修复周期较短，一定程度上降低了时间成本。

技术领域

本发明涉及DFM(Design For Manufacture)可制造图形设计领域，尤其是涉及到一种光刻工艺热点的自动修复方法。

背景技术

光刻是集成电路制造的主要工艺，其主要实现将掩模板上的图形向硅表面各层材料上的转移，掩模板图像对光波来说相当于传播路径的障碍，从而在硅片上得到与掩模板图像相关的光刻图形。

由于设计缺陷或分辩率增强技术等本身的限制，晶圆上的电路可能会出现夹断(pinch)、桥接(bridge)、孔接触不良等缺陷(即热点)，版图中可能导致这些缺陷的区域叫做光刻工艺热点区域，光刻工艺热点区域可能会影响到最终电路的性能甚至导致功能的失效，因此应在芯片生产之前找出光刻工艺热点并加以修复。为评估光刻工艺中版图的友善性，确定版图是否是适应于现实的生产中，应通过仿真模拟方法来模拟光刻工艺、检测工艺热点。

如图1所示，现有技术提供的一种版图中光刻工艺热点的修复流程：首先，运用工厂提供的检查工具套件对设计公司的版图进行光刻工艺友善性检查(LithographyFriendly Check，简称LFC)；其次，判断版图中是否存在潜在光刻工艺热点，若存在则将版图依靠代工厂或设计公司的工程师手动修改；之后，进行第二次版图的光刻工艺友善性检查，并依次循环上述步骤；最后，得到修改后的版图。

现有技术中版图的光刻工艺热点的修复主要是依靠代工厂或设计公司(代工厂将相关工具套件加密之后传送给设计公司)的工程师根据经验进行手动修改，之后进行光刻工艺友善性检查套件(LFC Kits)的验证。这种方法的缺陷是依赖工程师的经验，而且自动化程度不高，修复周期较长，效率较低且不利于热点修复的高效简易。

因此，本领域亟需一种更加高效的光刻工艺热点的自动修复方法。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供了一种光刻工艺热点的自动修复方法，以解决现有技术中因光刻工艺热点在修复过程中自动化程度不高，修复周期较长，效率和可操作性低下等缺陷。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：

一种光刻工艺热点的自动修复方法，其中，所述方法包括：

步骤S1、提供一版图，并通过一检查工具套件对版图进行光刻工艺友善性检查；

步骤S2、根据光刻工艺友善性检查的结果，判断版图中是否存在光刻工艺热点，若存在则进行步骤S3，否则结束修复；

步骤S3、通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记，并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域；

步骤S4、通过一修改工具套件对考量数据区域的版图进行修改，并通过检查工具套件对修改进行有效性判定；

步骤S5、保留有效的版图的修复方案。

较佳的，上述的光刻工艺热点的自动修复方法，其中，所述考量数据区域和所述模拟区域为位置标记的放大区域；

其中，所述考量数据区域的半径为b，所述模拟区域的半径为c，c>b，且c-b>光学模型半径。

较佳的，上述的光刻工艺热点的自动修复方法，其中，所述考量数据区域的半径b的取值范围为：0.5um≤b≤1.5um。