[发明专利]一种NDC生长控制方法有效
| 申请号： | 201410714834.9 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104465366B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 龚丹莉;邵雄 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ndc 生长 控制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种NDC生长控制方法，其特征在于，包括：
步骤S1，选定产品类型，所述产品上生长有所述NDC；
步骤S2，根据所述NDC制程能力进行回归分析，所述回归分析的参数包括NDC生长厚度或晶圆验收测试的等待时间；
步骤S3，根据所述回归分析给出的数据变化范围进行灵敏度分析，以确定所述NDC生长厚度的最优解；
所述步骤S3中还包括：若给定一所述NDC的生长厚度范围，通过对位于该生长厚度范围的所述NDC的生长厚度进行灵敏度分析，确定在所述生长厚度范围内的所述NDC生长厚度的最优解；
在进行步骤S1之前针对不同产品进行历史数据整合，然后针对不同产品进行NDC厚度与晶圆验收测试的等待时间建立拟合模型。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括提供一用于对所述产品进行检测的探针卡；
利用所述探针卡的最大扎针能力进行测试。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中还包括对晶圆验收测试的等待时间进行回归分析。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中的回归分析是基于历史数据进行选定项回归分析，或是基于用户给定数据范围及历史数据进行选定项回归分析。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述方法中还包括：
步骤S4，根据最优解对所述NDC进行制程验证。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
