[发明专利]检测采样系统及检测采样方法

说明书

技术领域

本发明涉及生产控制领域，尤其涉及一种可提高多腔体工艺设备作业后产品规格的检测采样系统及检测采样方法。

背景技术

在半导体产品制造中，现有检测采样的方法普遍采用固定检测采样对象的方式在整批产品中选取固定位置的个体进行检测。在多腔体设备作业后，由于每批产品的数目和作业腔体的数目都会不断变换，固定位置的采样很容易存在死角，导致个别腔体长时间没有被检测到如表1所示：

表1

表1为固定采样检测时3个批次的产品采样之后对应的抽样结果，由表1可知只有从组合工艺条件A对应的腔体编号2中流经的产品被检测到，从工艺条件A对应的其他腔体中流经的产品均没有被检测到。为了提高产品规格采样的均匀性，降低产品问题发生的可能性，可增加采样频率，但是需要增加额外的采样设备成本高，且花费的时间长。

中国专利(CN102709206A)公开了一种控制晶圆生产过程异常的自动缺陷扫描抽检方法及装置。控制晶圆生产过程异常的自动缺陷扫描抽检方法包括：在线异常检测步骤，用于执行显性异常检测和隐性异常检测，从而在晶圆的生产过程中对生产线的显性异常和隐形异常进行检查，并记录出现显性异常和/或隐形异常的晶圆；以及固定抽检步骤，用于在晶圆处理之后执行固定抽检。所述固定抽检步骤所抽检的晶圆包括在所述在线异常检测步骤记录的出现显性异常和/或隐形异常的晶圆。

该专利解决了在生产过程中，不能够全面及时准确的反应线上异常影响，反应时间慢，效率低，容易出错的问题，能够有效的减少缺陷晶圆的流出，提高产品良率。但是并没有解决产品规格采样的均匀性差，产品问题发生的可能性高的问题。

中国专利(CN1629624A)公开了一种监控晶圆缺陷的方法。该方法是首先提供一晶圆，该晶圆上存在有一缺陷，接着进行一化学处理步骤，以扩大晶圆上的缺陷，之后在晶圆上形成一共形材料层，然后使用扫描仪器找出晶圆上的缺陷。

该专利因为采用化学处理步骤，以扩大晶圆上的缺陷处，因此可以彰显晶圆上的缺陷处，突破了现有的扫描仪器的侦测极限，能够及早反应出产品上小于奈米级以下的缺陷，不需额外添购昂贵的扫描仪器，即可达到比原先只利用扫描仪器例如是亮场检知器(Brightfieldinspector)更好的效果。但是并没有解决产品规格采样的均匀性差，产品问题发生的可能性高的问题。

发明内容

针对上述存在的问题，本发明提供一种旨在实现在不增加检测频率的情况下，提高产品规格采样的均匀性，降低产品问题发生的可能性的检测采样系统及检测采样方法。

具体技术方案如下：

一种检测采样系统，用以对产品进行采样检测，所述产品流经预设工艺条件的预设腔体，包括：

复数个计数器，所述计数器用以对经过预设工艺条件的所述预设腔体的所述产品进行累加计数，每个所述计数器分别对应一上限值和一警告值；

存储单元，连接所述计数器，用以存储复数个所述计数器对应的所述警告值；

第一比较单元，分别与复数个所述计数器和所述存储单元连接，用以分别将每个所述计数器当前的计数值与所述计数器对应的所述警告值进行比较，获取第一比较结果；

采样单元，用以根据预设采样策略对流经所述预设腔体的所述产品进行采样；

处理单元，分别与所述第一比较单元、所述计数器、所述采样单元和复数个所述计数器连接，用以根据所述第一比较结果控制所述采样单元。

优选的，所述存储单元还用以存储复数个所述计数器对应的上限值。

优选的，还包括：

第二比较单元，分别与复数个所述计数器、所述处理单元和所述存储单元连接，用以分别将每个所述计数器当前的计数值与所述计数器对应的所述上限值进行比较，获取第二比较结果。

优选的，所述处理单元根据第二比较结果控制所述采样单元。

优选的，还包括：

检测单元，连接所述采样单元和所述处理单元，用以对采样的所述产品的规格进行检测；

当检测完成后所述处理单元将所述产品对应的所述预设工艺条件的所述预设腔体对应的所述计数器清零。

一种检测采样方法，应用于所述的检测采样系统，包括下述步骤：

采用复数个计数器分别对流经预设工艺条件的所述预设腔体的所述产品进行累加计数；

分别将每个所述计数器当前的计数值与所述计数器对应的所述警告值进行比较；