[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体系统

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体芯片；

穿通电极，其被形成为穿过所述半导体芯片；

两个或更多个金属，其被形成在所述穿通电极的上部中；

凸块，其被形成为与所述金属的上部接触，并且将从外部源输入的数据信号供应至所述金属；

检测块，其适于通过比较所述金属的电压电平并且产生判定信号来检测所述凸块是否与所述金属耦接；以及

信号输出块，其适于向外部输出所述判定信号。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属彼此隔离、而彼此不耦接。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述检测块包括：

电平设定单元，其适于响应于当所述金属的所述电压电平浮置时内部产生的控制信号而将所述金属的所述电压电平设定成初始电平；以及

电平比较单元，其适于将所述金属的所述电压电平相互进行比较、并且输出所述判定信号。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述电平设定单元包括多个晶体管，所述多个晶体管与所述金属电连接，并且当所述金属的所述电压电平浮置时将所述金属的所述电压电平驱动至所述初始电平，而当所述金属的所述电压电平不浮置时不将所述金属的所述电压电平驱动至所述初始电平。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述信号输出块包括：

选择单元，其适于响应于基于读取命令而产生的测试模式信号来选择性地输出所述判定信号；以及

输出缓冲单元，其与所述金属耦接，并且将从所述选择单元输出的信号传送至所述金属。

6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

输入缓冲块，其与所述金属耦接，并且响应于写入命令而接收所述数据信号；以及核心块，其适于储存从所述输入缓冲块输入的所述数据信号。

7.一种半导体系统，包括：

半导体芯片；以及

半导体控制器，其适于：通过将命令信号和数据信号传送至所述半导体芯片来控制测试操作，并且响应于从所述半导体芯片传送的判定信号来确定测试结果，

其中，所述半导体芯片包括：

穿通电极，其被形成为穿过所述半导体芯片；

两个或更多个金属，其被形成在所述穿通电极的上部中；

凸块，其被形成为与所述金属的上部接触，并且响应于所述命令信号而将所述数据信号供应至所述金属；

检测块，其适于通过将所述金属的电压电平相互进行比较并且产生所述判定信号来检测所述凸块是否与所述金属耦接；以及

信号输出块，其适于响应于所述命令信号之中的读取命令来输出所述判定信号。

8.如权利要求7所述的半导体系统，其中，所述金属彼此隔离、而彼此不耦接。

9.如权利要求7所述的半导体系统，其中，所述检测块包括：

电平设定单元，其适于：响应于当所述金属的所述电压电平浮置时内部产生的测试控制信号，而将所述金属的所述电压电平设定成初始电平；以及

电平比较单元，其适于：将所述金属的所述电压电平相互进行比较，并且输出所述判定信号。

10.如权利要求9所述的半导体系统，其中，所述电平设定单元包括多个晶体管，所述多个晶体管与所述金属电连接，并且当所述金属的所述电压电平浮置时将所述金属的所述电压电平驱动至所述初始电平，而当所述金属的所述电压电平不浮置时不将所述金属的所述电压电平驱动至所述初始电平。

11.如权利要求7所述的半导体系统，其中，所述信号输出块包括：

选择单元，其适于响应于基于所述读取命令而产生的测试模式信号来选择性地输出所述判定信号；以及

输出缓冲单元，其与所述金属耦接，并且将从所述选择单元输出的信号传送至所述金属。