[发明专利]非易失性存储装置的擦除方法及应用该方法的存储装置

权利要求书

1.一种擦除包括多个存储块的非易失性存储装置的方法，该方法包括下述步骤：

在非易失性存储装置中接收擦除命令；

响应于擦除命令，擦除所述多个存储块中的选择的存储块；

在执行用于检测选择的存储块是否被正常擦除的擦除确认操作的同时，执行检测连接到用于选择包括在选择的存储块中的串的至少一条选择线的选择晶体管的阈值电压是否改变的操作，

其中，在擦除确认操作期间施加到选择晶体管的擦除确认合格电压小于在读取操作期间施加到选择晶体管的读取合格电压。

2.如权利要求1所述的方法，其中，利用增步脉冲擦除过程来擦除选择的存储块。

3.如权利要求1所述的方法，其中，每个串包括串联连接的至少一个串选择晶体管、多个存储单元和至少一个接地选择晶体管，

其中，所述至少一条选择线是连接到所述至少一个串选择晶体管或所述至少一个接地选择晶体管的选择线。

4.如权利要求1所述的方法，其中，在擦除操作期间，将字线擦除电压施加到连接到选择的存储块的串的字线，

其中，在擦除确认操作期间，将字线擦除电压施加到连接到选择的存储块的串的字线，

其中，字线擦除电压大于接地电压并且小于擦除确认合格电压。

5.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括下述步骤：

在执行擦除操作之前，执行用于检测选择晶体管的阈值电压是否改变的初始确认操作。

6.如权利要求5所述的方法，其中，在初始确认操作期间，将读取合格电压施加到连接到选择的存储块的串的字线，并且将小于读取合格电压的擦除确认合格电压施加到所述至少一条选择线。

7.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括下述步骤：

当擦除确认操作失败时，向选择的存储块分配坏标。

8.如权利要求7所述的方法，所述方法还包括下述步骤：

当擦除确认操作合格时，向选择的存储块分配好标。

9.一种存储装置，所述存储装置包括：

至少一个非易失性存储装置，包括多个存储块，每个存储块具有连接到位线的多个串，每个串具有至少一个串选择晶体管、多个存储单元以及至少一个接地选择晶体管；

存储器控制器，被构造为控制所述至少一个非易失性存储装置，

其中，存储器控制器包括坏标管理单元，所述坏标管理单元被构造为控制所述至少一个非易失性存储装置，以在执行对选择的存储块的擦除过程的同时，检测在所述多个存储块中的选择的存储块的串选择晶体管和接地选择晶体管中的至少一个的阈值电压是否改变，来根据检测的结果对选择的存储块分配坏标，并且在所述至少一个非易失性存储装置的分配区域中存储坏标。

10.如权利要求9所述的存储装置，其中，所述至少一个非易失性存储装置被构造为在执行擦除操作之前执行初始确认操作，在初始确认操作中，将大于擦除确认合格电压的读取合格电压施加到选择的存储块，并且将擦除确认合格电压施加到连接到所述至少一个串选择晶体管的串选择线和连接到所述至少一个接地选择晶体管的接地选择线中的至少一个。

11.如权利要求10所述的存储装置，其中，基于从存储器控制器传输到所述至少一个非易失性存储装置的选择线检测信息来执行初始确认操作。

12.如权利要求9所述的存储装置，其中，与擦除确认操作一起执行检测阈值电压是否改变的操作，其中，擦除确认操作与擦除过程相关。

13.如权利要求9所述的存储装置，其中，基于坏标信息来调节用于操作选择的存储块的偏置。