[发明专利]非易失性存储装置的擦除方法及应用该方法的存储装置

说明书

本发明涉及一种非易失性存储装置的擦除方法及应用该方法的存储装置。一种擦除包括多个存储块的非易失性存储装置的方法包括下述步骤：接收擦除命令；响应于擦除命令，擦除所述多个存储块中的选择的存储块；在执行用于检测选择的存储块是否被正常擦除的擦除确认操作的同时，执行检测连接到用于选择包括在选择的存储块中的串的至少一条选择线的选择晶体管的阈值电压是否改变的操作。

本专利申请要求于2013年12月19日提交的第10-2013-0159559号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的主题通过引用包含于此。

技术领域

本发明构思大体上涉及一种非易失性存储装置的擦除方法和一种包括该擦除方法的存储装置。

背景技术

半导体存储装置可以被分为易失性半导体存储装置或非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置即使在断电时也可以保留存储在其中的数据。根据使用的制造技术，存储在非易失性半导体存储装置中的数据可以是永久的或者可再编程的。非易失性半导体存储装置可以用于存储在计算机、航空电子设备、电信以及消费电子行业中的多种多样的应用中的用户数据、程序和微代码。

发明内容

本发明构思的实施例的一方面致力于提供一种擦除包括多个存储块的非易失性存储装置的方法。该方法包括下述步骤：接收擦除命令；响应于擦除命令，擦除存储块中的选择的存储块；在执行用于检测选择的存储块是否被正常擦除的擦除确认操作的同时，执行检测连接到用于选择包括在选择的存储块中的串的至少一条选择线的选择晶体管的阈值电压是否改变的操作。

本发明构思的实施例的另一方面致力于提供一种存储装置，所述存储装置包括：至少一个非易失性存储装置，包括多个存储块，每个存储块具有连接到位线的多个串，每个串具有至少一条串选择线、多个存储单元以及串选择晶体管和接地选择晶体管中的至少一个；存储器控制器，被构造为控制所述至少一个非易失性存储装置，其中，存储器控制器包括坏标管理单元，所述坏标管理单元被构造为控制所述至少一个非易失性存储装置，以在执行对存储块中的选择的存储块的擦除过程的同时，检测在多个存储块中的选择的存储块的串选择晶体管和一个接地选择晶体管中的至少一个的阈值电压是否改变，来根据检测的结果对选择的存储块分配坏标，并且在所述至少一个非易失性存储装置的分配区域中存储坏标。

本发明构思的实施例的又一方面致力于提供一种操作包括多个存储块的非易失性存储装置的方法。该方法包括下述步骤：在非易失性存储装置中接收用于非易失性存储装置的命令，以对多个存储块中的选择的存储块执行操作；响应于所述命令，执行检测连接到包括在选择的存储块中的用于选择串的至少一条选择线的选择晶体管的阈值电压是否改变的操作。

利用本发明构思的实施例，能够通过在擦除操作时执行检测连接到选择线的选择晶体管的阈值电压的操作来改善数据的可靠性。

附图说明

在附图中示出了本发明构思的特定实施例的示例。

图1示出了存储装置。

图2是示意性地示出图1中示出的非易失性存储装置的框图。

图3是图1中示出的存储块BLK的透视图。

图4是示意性地示出存储块的透视图。

图5是示意性地示出图4中示出的存储块的等效电路的电路图。

图6是用于描述在擦除验证操作的同时检测连接到选择线的选择晶体管的阈值电压的图。

图7是示意性地示出用于在擦除验证操作中检测连接到选择线的选择晶体管的阈值电压的偏置窗口的图。

图8是示意性地示出根据第一实施例的擦除过程的流程图。

图9是示意性地示出在擦除验证操作之前检测连接到选择线的选择晶体管的阈值电压的操作的图。