[发明专利]高效率高准确度加热器驱动器

权利要求书

1.一种处理晶片的快速热处理腔室，所述快速热处理腔室包含：

多个灯具；

功率源，所述功率源包含具有第一开关和第二开关的交流功率源，所述功率源连接至所述多个灯具以供应功率给所述多个灯具；

温度传感器，所述温度传感器测量所述晶片的温度；以及

温度控制器，所述温度控制器连接至所述温度传感器并且连接至所述功率源中的所述第一开关和所述第二开关，所述温度控制器提供第一控制信号给所述第一开关，提供第二控制信号给所述第二开关，所述第一控制信号和所述第二控制信号为所述晶片温度和期望温度的函数；

其中所述第一控制信号在所述交流功率的每半个周期中开启和关闭所述第一开关多次，所述第二控制信号在所述交流功率的每半个周期中开启和关闭所述第二开关多次。

2.如权利要求1所述的快速热处理腔室，其中当所述第二开关关闭时，所述第一开关开启。

3.如权利要求2所述的快速热处理腔室，其中当所述第二开关开启时，所述第一开关关闭。

4.如权利要求3所述的快速热处理腔室，其中所述温度控制器形成所述第一控制信号和所述第二控制信号，作为所述交流功率的脉冲形式。

5.如权利要求3所述的快速热处理腔室，其中供应给所述多个灯具的功率的功率因数介于0.9到1之间。

6.如权利要求5所述的快速热处理腔室，其中所述第一开关和所述第二开关为晶体管。

7.如权利要求4所述的快速热处理腔室，其中所述第一开关和所述第二开关选自由MOSFET晶体管、双极性晶体管和绝缘栅双极性晶体管组成的组。

8.一种对处理晶片的快速热处理腔室进行控制的方法，所述方法包含以下步骤：

感测所述晶片的温度；

确定期望温度；以及

温度控制器根据所述晶片的温度和所述期望温度来产生第一控制信号和第二控制信号；

所述第一控制信号在供应给所述温度控制器的交流功率的每半个周期中开启和关闭第一开关多次；

所述第二控制信号在供应给所述温度控制器的交流功率的每半个周期中开启和关闭第二开关多次；以及

所述第一开关和所述第二开关供应功率给多个灯具。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第一开关和所述第二开关在不同时间开启。

10.如权利要求8所述的方法，其中当所述第二开关关闭时所述第一开关开启，当所述第二开关开启时所述第一开关关闭。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述温度控制器形成所述第一控制信号和所述第二控制信号，作为所述交流功率的脉冲形式。

12.如权利要求9所述的方法，其中供应给所述多个灯具的功率的功率因数介于0.9到1之间。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述第一开关和所述第二开关是晶体管。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述第一开关和所述第二开关选自由MOSFET晶体管、双极性晶体管、和绝缘栅双极性晶体管组成的组。