[发明专利]一种提高类金刚石薄膜sp3碳原子杂化键含量的方法

权利要求书

1.一种提高类金刚石薄膜sp³碳原子杂化键含量的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：镀膜之前先对镀膜基片进行清洗；

步骤二：镀制DLC薄膜；在镀膜过程中，预溅射时的离子源束压控制在500V-1000V，预溅射后的离子源束压控制在600-1200V。

2.如权利要求1所述的提高类金刚石薄膜sp³碳原子杂化键含量的方法，其特征在于，步骤一中，清洗步骤具体包括：

首先使用蘸有体积比为1：1的无水乙醇和乙醚的混合液的脱脂纱布擦拭基片；

随后，使用蘸有钻石粉的脱脂纱布对基片进行抛光；

最后，依次使用蘸有体积比为1：1的无水乙醇和乙醚的混合液的脱脂纱布和脱脂棉布擦拭基片，至基片擦拭干净为止。

3.如权利要求1所述的提高类金刚石薄膜sp³碳原子杂化键含量的方法，其特征在于，步骤二中，镀膜过程在真空室内完成，以纯度为99.95％的石墨作为溅射靶材，以纯度为99.999％的Ar作为离子源工作气体，以纯度为99.999％的CH₄气体作为反应气体。

4.如权利要求3所述的提高类金刚石薄膜sp³碳原子杂化键含量的方法，其特征在于，步骤一中，镀膜的过程包括：将清洗后的基片放入真空室内，依次打开低真空泵和高真空泵抽真空，当真空室内压强降至2×10^-3Pa以下时，向离子源和中和器内充入Ar，流量分别控制在20-45sccm之间以及5-10sccm之间，启动中和器和离子源，对石墨靶进行预溅射，离子源束压控制在500V-1000V，束流控制在300mA以内，时间为2-10min。

5.如权利要求4所述的提高类金刚石薄膜sp³碳原子杂化键含量的方法，其特征在于，步骤二中，镀膜的过程进一步还包括：预溅射后调节离子源束压为600-1200V，束流为300-400mA，向真空室通入反应气体CH₄，流量在0-64sccm之间，真空室压强在8×10^-2Pa以下；当离子源工作状态稳定后，将基片转动至镀膜区，启动自转系统，淀积DLC薄膜，镀膜时间为2-6小时。