[发明专利]OLED器件及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种OLED器件，所述OLED器件包括基板以及形成于所述基板上的像素单元，所述像素单元包括多个子像素单元，所述子像素单元包括阳极、阴极及形成于所述阳极和所述阴极之间的有机材料层，其特征在于，所述子像素单元还包括滤光器，所述阳极包括依次形成于所述基板上的第一阳极膜层和第二阳极膜层以及覆盖所述第二阳极膜层和滤光器的第三阳极膜层，所述滤光器形成于所述第二阳极膜层与有机材料层之间，所述滤光器包括依次层叠的滤光器下电极、第一反射层、压电材料层、第二反射层以及滤光器上电极，通过控制所述滤光器下电极和滤光器上电极的电压以控制所述压电材料层的介质折射率，使得所述滤光器仅通过与各子像素单元对应波长的光波。

2.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述压电材料层的材料是PLZT或者PMN-PT。

3.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述滤光器下电极和滤光器上电极的材料是ITO、InZnO或ITZO。

4.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述压电材料层的厚度在300～400nm之间，所述第一反射层和第二反射层的厚度在100～200nm之间。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的OLED器件，其特征在于，还包括形成于所述基板上的滤光电路，所述滤光电路与所述滤光器下电极和滤光器上电极电连接以向所述滤光器下电极和滤光器上电极施加电压。

6.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述第一阳极膜层和第三阳极膜层的材料是ITO、InZnO或ITZO，所述第二阳极膜层的材料是银。

7.如权利要求1或6所述的OLED器件，其特征在于，还包括形成于所述滤光器与第二阳极膜层之间的第一绝缘层以及形成于所述滤光器与第三阳极膜层之间的第二绝缘层。

8.一种OLED器件制造方法，包括：在基板上形成像素单元，所述像素单元包括多个子像素单元，所述子像素单元包括阳极、阴极及形成于所述阳极和所述阴极之间的有机材料层；其特征在于，还包括：形成滤光器，所述滤光器包括依次层叠的滤光器下电极、第一反射层、压电材料层、第二反射层以及滤光器上电极，通过控制所述滤光器下电极和滤光器上电极的电压以控制所述压电材料层的介质折射率，使得所述滤光器仅通过与各子像素单元对应波长的光波；

所述阳极和滤光器通过以下步骤形成：在所述基板上形成第一阳极膜层以及第二阳极膜层；在所述第二阳极膜层上的各子像素单元内形成滤光器；以及在所述第二阳极膜层以及滤光器上形成第三阳极膜层；其中，所述滤光器形成于所述第二阳极膜层与有机材料层之间。

9.如权利要求8所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述压电材料层的材料是PLZT或者PMN-PT。

10.如权利要求8所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述滤光器下电极和滤光器上电极的材料是ITO、InZnO或ITZO。

11.如权利要求8所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述压电材料层的厚度在300～400nm之间，所述第一反射层和第二反射层的厚度在100～200nm之间。

12.如权利要求8至11中任意一项所述的OLED器件制造方法，其特征在于，在形成所述阳极之前，在所述基板上形成一滤光电路，所述滤光电路与所述滤光器下电极和滤光器上电极电连接以向所述滤光器下电极和滤光器上电极施加电压。

13.如权利要求8所述的OLED器件制造方法，其特征在于，所述第一阳极膜层和第三阳极膜层的材料是ITO、InZnO或ITZO，所述第二阳极膜层的材料是银。