[发明专利]OLED器件及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201410719239.4 | 申请日: | 2014-12-01 |
公开(公告)号: | CN105633116B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 张欠欠;魏朝刚 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 器件 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种OLED器件及其制造方法、显示装置,所述OLED器件在阳极以及各个子像素单元的有机材料层之间形成滤光器,所述滤光器包括依次层叠的滤光器下电极、第一反射层、压电材料层、第二反射层以及滤光器上电极,通过控制滤光器下电极和滤光器上电极的电压以控制压电材料层的介质折射率,使得所述滤光器仅通过与各子像素单元对应波长的光波,实现对外界光的可调性滤过,如此即使在强光下,也能够使OLED显示屏清晰的显示图像画面,并且不会影响产品的亮度。
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域,特别涉及一种OLED器件及其制造方法、显示装置。
背景技术
与液晶显示设备相比,有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,简称为OLED)具有发光效率高、驱动电压低、响应速度快、色彩丰富、超薄便携、可视化角度大等优点,迎合了人们对现代显示技术发展的要求,成为平板显示领域中重点关注对象。
按出光方式,OLED分为底发射OLED(Bottom Organic Light-emitting Device,简称为BEOLED)和顶发射OLED(TOP Organic Light-emitting Device,简称为TEOLED)。底发射OLED结构是将OLED制作在覆盖有透明的铟锡氧化物(Indium Tin Oxides,简称为ITO)或铟锌氧化物(Indium Zinc Oxides,简称为IZO)电极的玻璃衬底上,当对OLED施加电压时,OLED发出的光经透明ITO(或IZO)电极射出。该底发射OLED结构中,透明ITO(或IZO)电极与驱动OLED的薄膜晶体管(TFT)相连,存在OLED发光面积与TFT竞争的问题,导致器件开口率较低。而顶发射OLED是将不透明的全反射电极覆盖在玻璃或硅衬底上后再制作OLED,对OLED施加电压时,光从顶部的透明或半透明阴极射出。基于顶发射OLED的显示器中,驱动OLED的TFT制作于OLED下方,使出光面与TFT分开,可以使开口率低的问题得到根本解决。
但是OLED的阳极结构通常包含反射光线的金属材料,尤其是顶发射OLED的阳极通常为ITO/Ag/ITO结构,在户外强光的环境中,由于阳极强烈的反射光,会导致OLED尤其是顶发射OLED的对比度有所下降。
公开号为US6411019B1的美国专利公开了一种改善OLED显示设备对比度方法,该方法是在设备背面的空腔中设置一个光吸收层,该吸收层主要是由光吸收材料或破坏性干涉层构成,该吸收层位于基底或者一个电极之上,该光吸收层除了吸收任何从有机材料的发射层中发射的光以外还吸收环境光,从而改善对比度,但该方法存在一个问题,就是大部分从OLED发射的朝向吸收层的光也被损失掉了,因此降低了显示器的亮度。
公开号为CN1426269A的中国专利公开了一种显示器,能从第二电极侧得到光线,通过抑制外部光线的反射增强对比度,简化制造工艺,及降低成本。带有有机电致发光(EL)装置的驱动基底从阴极侧得到光线。利用印刷技术,将红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器形成在密封基底上,以使面向有机EL装置。利用印刷技术将红色、绿色和蓝色滤色器中至少两个重叠,就形成了黑色基体,以便面向有机EL装置的边界区域,于是装置之间的接线电极对外部光线的反射被抑制。此方案是使用印刷方式将具有颜色的材料涂布在封装盖玻璃上,以实现降低反射光的目的。该方法同样会影响产品的亮度和发光效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED器件及其制造方法、显示装置,以实现降低反射光且不影响产品亮度的目的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的