[发明专利]一种沟槽型半导体功率器件的制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型半导体功率器件的制造方法，其步骤为：

1)在第一导电类型衬底上生长第一导电类型外延层，形成半导体基板，第一导电类型外延层的表面为第一主面，第一导电类型衬底的表面为第二主面；

2)在第一主面上通过淀积或热生长形成积淀一层场氧化层；

3)选择性地掩蔽和刻蚀场氧化层，形成环绕半导体基板中心的场氧化层；

4)在第一主面上淀积硬掩膜层，光刻出硬掩膜刻蚀区域，并刻蚀硬掩膜层，形成用于沟槽刻蚀的硬掩膜；

5)刻蚀第一主面，形成单胞沟槽、分压沟槽和栅极引出槽；

6)在所述的单胞沟槽、分压沟槽和栅极引出槽内壁上生长绝缘氧化层；

7)去除所述半导体基板第一主面上的硬掩膜以及单胞沟槽、分压沟槽和栅极引出槽各自内壁的绝缘氧化层；

8)在单胞沟槽、分压沟槽和栅极引出槽各自内壁上生长绝缘栅氧化层；

9)在第一主面上、单胞沟槽、分压沟槽和栅极引出槽内同时淀积导电多晶硅；

10)刻蚀导电多晶硅；去除第一主面上的导电多晶硅；

11)在第一主面上注入第二导电类型杂质离子，通过热处理形成第二导电类型层；

12)在第一主面的相应位置光刻出第一导电类型杂质的注入区域，并注入第一导电类型杂质离子，通过热处理形成第一导电类型注入层；

13)在第一主面上积淀绝缘介质层；

14)光刻引出孔区域，刻蚀绝缘介质层，在第一主面上形成引出孔；

15)在第一主面上及引出孔内淀积金属层，光刻出引线区域，刻蚀形成金属引线；

16)在第二主面上进行基板研磨并淀积金属，形成所述半导体功率器件的背面电极。

2.根据权利要求1所述的沟槽型半导体功率器件的制造方法，其特征在于：在所述的步骤14)中，在刻蚀绝缘介质层后，刻蚀引出孔区域的单晶硅，并注入第二导电类型杂质。