[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成第一介质层；

在所述第一介质层内形成牺牲层，所述牺牲层的表面与所述第一介质层的表面齐平；

刻蚀部分牺牲层和第一介质层，直至暴露出衬底表面为止，在所述第一介质层内形成第一通孔；

在所述第一介质层内形成第二通孔；

去除剩余的牺牲层，在所述第一介质层内形成延伸开口，所述延伸开口与所述第一通孔连通；

在所述第一通孔和延伸开口内形成第一导电插塞；

在所述第二通孔内形成第二导电插塞；

在所述第一导电插塞、第二导电插塞和第一介质层表面形成第二介质层；在所述第二介质层内形成第一导电层和第二导电层，所述第一导电层位于所述第一导电插塞和第一介质层表面，所述第二导电层位于所述第二导电插塞和第一介质层表面，所述第一导电层投影于衬底表面的图形为第一条形，所述第二导电层投影于衬底表面的图形为第二条形，所述第一条形的宽度大于第二条形的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电层和第二导电层的形成工艺包括：在所述第一导电插塞、第二导电插塞和第一介质层表面形成第二介质膜；刻蚀所述第二介质膜直至暴露出第一导电插塞和第二导电插塞的顶部表面为止，形成第二介质层，并在所述第二介质层内形成位于所述第一导电插塞顶部的第一沟槽、以及位于第二导电插塞顶部的第二沟槽；在所述第一沟槽内形成第一导电层；在所述第二沟槽内形成第二导电层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁相对于衬底表面倾斜，所述第一沟槽的底部尺寸小于顶部尺寸，所述第二沟槽的底部尺寸小于顶部尺寸，所述第一沟槽侧壁与第二介质层表面的锐角夹角、小于所述第二沟槽侧壁与第二介质层表面的锐角夹角。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽的底部暴露出部分第一导电插塞的顶部表面。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电层和第二导电层的形成步骤包括：在所述第二介质层表面以及所述第一沟槽和第二沟槽内形成填充满所述第一沟槽和第二沟槽的导电膜；平坦化所述导电膜直至暴露出第二介质层表面为止，在第一沟槽内形成第一导电层，在第二沟槽内形成第二导电层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成工艺包括：在所述第一介质层内形成开口；在所述第一介质层表面以及所述开口内形成填充满所述开口的牺牲膜；平坦化所述牺牲膜直至暴露出所述第一介质层表面为止。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口的深度是所述第一介质层厚度的10％～50％。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成工艺包括：在所述第一介质层表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分第一介质层表面；以所述掩膜层为掩膜，对所述第一介质层进行离子注入工艺，在所述第一介质层内形成所述牺牲层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的工艺为刻蚀工艺；所述去除牺牲层的刻蚀工艺对所述牺牲层的刻蚀速率大于对所述第一介质层的刻蚀速率。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除牺牲层的刻蚀工艺对所述牺牲层的刻蚀速率与对所述第一介质层的刻蚀速率比为1.1:1～10:1。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料与所述第一介质层的材料不同。