[发明专利]磁记录介质的制造方法

权利要求书

1.一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，具备：

在基板上形成含有第1金属的熔敷层的工序；

在该熔敷层上形成含有硅的保持层的工序；

使用含有能够与该熔敷层熔敷的第2金属的粒子，在该保持层上形成单粒子层的工序；

与所述粒子接触的区域的所述保持层受到所述第2金属的催化剂作用发生氧化反应由此形成二氧化硅，使用含有氢氟酸和过氧化氢的蚀刻溶液对所述二氧化硅进行蚀刻，将所述粒子埋入该保持层内直到与所述熔敷层接触的工序；

通过加热使所述粒子和所述熔敷层熔敷的工序；以及

在所述单粒子层上形成磁记录层的工序。

2.根据权利要求1所述的方法，所述第1金属从金、银、铂和钯中选择。

3.根据权利要求1或2所述的方法，所述第2金属从金、银、铂和钯中选择。

4.根据权利要求1或2所述的方法，所述第1金属和所述第2金属含有相同的金属。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第1金属和所述第2金属为金。

6.根据权利要求1或2所述的方法，在所述熔敷层和所述保持层之间具有粗糙抑制层，所述粗糙抑制层具有多个开口。

7.根据权利要求6所述的方法，所述粗糙抑制层由碳构成。

8.根据权利要求1或2所述的方法，形成所述单粒子层的工序包括：

作为所述粒子，使用在表面具有使用第1高分子材料形成的第1被覆层，并且含有能够与该熔敷层熔敷的第2金属的粒子，使所述粒子分散于溶剂中制作粒子涂布液的工序；以及

在具有第2被覆层的基板上涂布粒子涂布液，形成单粒子层的工序，所述第2被覆层是使用具有与所述第1高分子材料相同的骨架的第2高分子材料形成的。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述溶剂具有链状结构。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第1高分子材料是具有1000～50000的数均分子量的聚苯乙烯。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第2高分子材料是具有1000～50000的数均分子量的聚苯乙烯。

12.根据权利要求8所述的方法，所述溶剂为甲基乙基酮或甲基丙基酮。

13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述粒子涂布液是采用浸渍涂布法涂布的。