[发明专利]磁记录介质的制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及磁记录介质的制造方法。

本申请以日本专利申请2014-150663号(申请日：2014年7月24日)为基础申请享有优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

背景技术

以数nm～数百nm的周期规则地排列的微细结构，以磁记录介质为首，能够应用于半导体器件、光子晶体、防反射膜和吸附基板等技术。为了制作那样的结构，可列举使用电子束、紫外线等的描绘装置等，在抗蚀剂层上描绘图案的方法、利用二嵌段共聚物、粒子的自组织化现象的方法等。特别是在使用了粒子的图案形成方法中，能够通过蚀刻保护基来制作以粒子容易地形成的凹凸图案。但是，在包含通过蚀刻制作出的粒子的凹凸图案中，粒子不与基板结合，因此粒子-基板间的密合性差，有时在其后的工序中粒子会从基板剥离。

为了防止该情况，例如日本专利公开公报2010-172886号和日本专利公开公报平8-236329号那样，公开了使用热塑性树脂，在基板(电极)上使粒子固着(固定)的方法。但是，该方法中基板与粒子没有化学键，由于在固着后进行加热，粒子容易从基板剥离。另外，为了解决那样的问题，有在除去有机成分后，在粒子上被覆无机材料，抑制粒子彼此的移动的方法。但是，存在由于在粒子上设置被覆层，从而由粒子形成的凹凸形状由于被覆层而被平坦化的问题。

发明内容

本发明的课题在于得到一种磁记录介质，其在基板和设置于基板上的粒子之间的密合性良好。

根据实施方式，提供一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，具备：在基板上形成含有第1金属的熔敷层的工序；在该熔敷层上形成含有硅的保持层的工序；使用含有能够与该熔敷层熔敷的第2金属的粒子，在该保持层上形成单粒子层的工序；与所述粒子接触的区域的所述保持层受到所述第2金属的催化剂作用发生氧化反应由此形成二氧化硅，使用含有氢氟酸和过氧化氢的蚀刻溶液对所述二氧化硅进行蚀刻，将所述粒子埋入该保持层内直到与所述熔敷层接触的工序；通过加热使所述粒子和所述熔敷层熔敷的工序；以及在所述单粒子层上形成磁记录层的工序。

附图说明

图1是表示保护基的重均分子量和粒子间隔的关系的图。

图2(a)～(f)是表示实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的一例的图。

具体实施方式

实施方式涉及的磁记录介质的制造方法包括：

在基板上形成含有第1金属的熔敷层的工序；

在熔敷层上形成含有硅的保持层的工序；

使用含有能够与熔敷层熔敷的第2金属的粒子，在保持层上形成单粒子层的工序；

使用含有氢氟酸和过氧化氢的蚀刻溶液对保持层中的二氧化硅进行蚀刻，将粒子埋入保持层内直到与熔敷层接触的工序；

通过加热使粒子和熔敷层熔敷的工序；以及

在单粒子层上形成磁记录层的工序。

上述二氧化硅，是通过与粒子接触的区域的保持层受到第2金属的催化剂作用发生氧化反应而形成的。

单粒子层可以作为具有凹凸图案的种层使用。通过在单粒子层之上形成磁记录层，凹凸图案被转印到磁记录层上。但是，仅靠粒子在基板上沉积，原样状态下粒子容易由于摩擦等的外力而剥离，因此根据实施方式，通过使熔敷层和粒子熔敷来形成化学键，能够防止由摩擦等的外力造成的粒子剥离。另外，通过使其熔敷，受到熔敷层的结晶取向的影响，能够改善粒子内的结晶取向分散。由此，能够制作SNR良好的磁记录介质。

粒子

所使用的粒子是指粒径1nm～1μm左右的粒子。形状大多为球形，但也可以是四面体、长方体、八面体、三棱柱、六棱柱、圆筒形等形状。在考虑最密排列的情况下或采用湿蚀刻埋入保持层内的情况下，优选形状的对称性高的形状，特别优选为球形。为了提高涂布时的排列性，粒子的粒径分散优选小。在粒径分散和取向分散(间距分散)之间存在比例关系，例如，在粒径分散为10％左右的情况下，其粒子排列形成的单粒子层的粒子的间距分散为7％左右，在粒径分散为15％左右的情况下，间距分散为10％，在粒径分散为30％左右的情况下，间距分散为17％。因此，粒子分散的粒径分散优选为15％以下、更优选为10％以下。

微粒的材料可以使用选自Pd、Ag、Pt和Au中的第2金属。特别优选工作函数为5eV以上，作为贵金属的Pd、Pt和Au。

微粒的排列在溶液系统中进行，因此微粒在附带后述的保护基(被覆层)的状态下，以稳定分散于溶液中的状态被使用。

保护基(第1高分子材料)