[发明专利]一种提高外延晶体质量的外延生长方法

权利要求书

1.一种提高外延晶体质量的外延生长方法，包括以下步骤：

1)以锥形PSS作为生长基底，低温生长第一缓冲层；

2)高温生长第一U-GaN层,生长厚度应保证第一U-GaN层未完全覆盖PSS图形，即有PSS尖部高出第一U-GaN层表面；

3)在NH₃环境中进行高温退火，然后降至低温，再生长第二缓冲层；

4)高温生长第二U-GaN层,生长厚度应保证第二U-GaN层完全覆盖PSS图形；

5)依次生长掺杂SiH₄的n-GaN层、多量子阱有源层、掺杂p型AlGaN阻挡层、掺杂p型GaN层，最后在氮气氛围下退火。

2.根据权利要求1所述的提高外延晶体质量的外延生长方法，其特征在于：

第一U-GaN层厚度为0.5um-2.0um，第二缓冲层厚度为5nm-40nm，第二U-GaN层厚度为1.0um-2.0um。

3.根据权利要求1所述的提高外延晶体质量的外延生长方法，其特征在于：步骤3)中退火温度为1000℃-1200℃，时间为1min-10min。

4.根据权利要求1所述的提高外延晶体质量的外延生长方法，其特征在于：第一缓冲层和第二缓冲层均为AlxGa1-xN，0≤x≤1。

5.采用如权利要求1所述方法制得的LED外延片，包括锥形PSS基底、缓冲层、U-GaN层、掺杂SiH₄的n-GaN层、多量子阱有源层、掺杂p型AlGaN阻挡层以及掺杂p型GaN层；其特征在于：所述缓冲层和U-GaN层整体上分为依次生长的第一缓冲层、第一U-GaN层、第二缓冲层以及第二U-GaN层，其中第一U-GaN层未完全覆盖PSS图形，第二U-GaN层完全覆盖PSS图形。

6.根据权利要求5所述的LED外延片，其特征在于：第一U-GaN层厚度为0.5um-2.0um，第二缓冲层厚度为5nm-40nm，第二U-GaN层厚度为1.0um-2.0um。

7.根据权利要求5所述的LED外延片，其特征在于：第一缓冲层和第二缓冲层均采用AlxGa1-xN，0≤x≤1。