[发明专利]一种片上RAM内建自测试方法及电路

权利要求书

1.一种片上随机存取存储器(RAM)内建自测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

配置测试的起始地址；

从所述起始地址开始，对预定范围内的各地址进行下述操作：

按照地址升序，进行写0操作；

按照地址降序，进行两次读0操作及两次写1操作；

按照地址升序，进行读1操作、写0操作、读0操作及写1操作；

按照地址升序，进行两次写1操作及两次读0操作；

按照地址升序，进行读0操作、写1操作、读1操作及写0操作；

按照地址升序，进行读0操作；

在上述操作过程中，当某个测试地址的读出数据与期望数据不一致时，则判断所述测试地址发生故障，待测试完成后，输出错误标志和发生故障的测试地址。

2.如权利要求1所述的片上RAM内建自测试方法，其特征在于：若未检测到故障，待测试完成后，输出正确标志。

3.如权利要求1所述的片上RAM内建自测试方法，其特征在于：所述按照地址降序，进行两次读0操作及两次写1操作包括：按照地址降序，对每个地址操作顺序为：先读取数据，读取结果与全0比较，再读取数据，读取结果与全0比较，然后对各地址写全1，再写全1。

4.如权利要求1所述的片上RAM内建自测试方法，其特征在于：所述按照地址升序，进行读1操作、写0操作、读0操作及写1操作包括：按照地址升序，对每个地址操作顺序为：先读数据，读取结果与全1比较，然后对各地址写全0，再读取数据与全0比较，然后再写全1。

5.如权利要求1所述的片上RAM内建自测试方法，其特征在于：所述按照地址升序，进行写0操作包括：按照地址升序，对每个地址操作为：写全0。

6.一种片上随机存取存储器(RAM)内建自测试电路，其特征在于，包括：地址配置单元、检测单元、输出单元，

所述地址配置单元，用于配置测试的起始地址；

所述检测单元，用于从所述起始地址开始，对预定范围内的各地址进行下述操作：按照地址升序，进行写0操作；按照地址降序，进行两次读0操作及两次写1操作；按照地址升序，进行读1操作、写0操作、读0操作及写1操作，按照地址升序，进行两次写1操作及两次读0操作；按照地址升序，进行读0操作、写1操作、读1操作及写0操作；按照地址升序，进行读0操作；在上述操作过程中，当某个测试地址的读出数据与期望数据不一致时，判断所述测试地址发生故障；

所述输出单元，用于待测试完成后，输出错误标志和发生故障的测试地址。

7.如权利要求6所述的片上RAM内建自测试电路，其特征在于：所述输出单元，用于若未检测到故障，待测试完成后，输出正确标志。

8.如权利要求6所述的片上RAM内建自测试电路，其特征在于：所述按照地址降序，进行两次读0操作及两次写1操作包括：按照地址降序，对每个地址操作顺序为：先读取数据，读取结果与全0比较，再读取数据，读取结果与全0比较，然后对各地址写全1，再写全1。

9.如权利要求6所述的片上RAM内建自测试电路，其特征在于：所述按照地址升序，进行读1操作、写0操作、读0操作及写1操作包括：按照地址升序，对每个地址操作顺序为：先读数据，读取结果与全1比较，然后对各地址写全0，再读取数据与全0比较，然后再写全1。

10.如权利要求6所述的片上RAM内建自测试电路，其特征在于：所述按照地址升序，进行写0操作包括：按照地址升序，对每个地址操作为：写全0。