[发明专利]协同设计倒装芯片以及硅中介层的方法

权利要求书

1.一种协同设计倒装芯片以及硅中介层的方法，其特征在于，所述协同设计倒装芯片以及硅中介层的方法包括以下步骤：

得到关于倒装芯片的多个输入/输出接合垫、多个电源接脚以及多个电流-电阻限制条件的信息；

根据所述信息，执行凸块规划程序，以得到所述倒装芯片的多个微凸块的总数量，并根据所述倒装芯片的所述微凸块的凸块布局而得到所述倒装芯片的每一所述电源接脚的最小电导；

根据所述倒装芯片的所述电源接脚的所述最小电导，执行芯片-硅中介层绕线程序，以得到所述倒装芯片的重分布层绕线以及所述硅中介层的硅中介层绕线。

2.如权利要求1所述的协同设计倒装芯片以及硅中介层的方法，其特征在于，所述执行凸块规划程序的步骤还包括：

根据所述信息，得到对应于所述倒装芯片的所述电源接脚的所述倒装芯片的多个电源凸块的最小数量；以及

根据所述电源凸块的最小数量以及对应于所述倒装芯片的所述输入/输出接合垫的所述倒装芯片的多个信号凸块的数量，得到所述倒装芯片的所述微凸块的总数量。

3.如权利要求2所述的协同设计倒装芯片以及硅中介层的方法，其特征在于，所述微凸块的总数量大于所述倒装芯片的所述电源凸块与所述信号凸块的总和。

4.如权利要求1所述的协同设计倒装芯片以及硅中介层的方法，其特征在于，所述执行凸块规划程序的步骤还包括：

根据所述信息，将对应于所述倒装芯片的所述电源接脚的所述倒装芯片的多个电源凸块的功率密度一致化；以及

根据所述信息以及已一致化的所述倒装芯片的所述电源凸块的所述功率密度，得到所述倒装芯片的所述微凸块的所述凸块布局，

其中所述微凸块均匀地设置在所述倒装芯片上。

5.如权利要求4所述的协同设计倒装芯片以及硅中介层的方法，其特征在于，在所述倒装芯片内，每一所述电源凸块具有相同且最大电流。

6.如权利要求4所述的协同设计倒装芯片以及硅中介层的方法，其特征在于，在所述倒装芯片的晶粒边缘以及相邻于所述倒装芯片的所述晶粒边缘的所述微凸块之间的距离等于在所述凸块布局中所述微凸块的凸块间距的一半。

7.如权利要求1所述的协同设计倒装芯片以及硅中介层的方法，其特征在于，所述执行凸块规划程序的步骤还包括：

根据所述凸块布局中所述电源接脚与所述微凸块之间的距离，得到每一所述电源接脚的等效电导；以及

根据所对应的所述等效电导以及对应于所述倒装芯片的所述电源接脚的所述倒装芯片的所述电源凸块的最小数量，得到每一所述电源接脚的所述最小电导，

其中每一所述电源接脚的所述等效电导大于所对应的所述最小电导。

8.如权利要求1所述的协同设计倒装芯片以及硅中介层的方法，其特征在于，所述执行芯片-硅中介层绕线程序的步骤还包括：

根据所述电源接脚的所述最小电导以及所述凸块布局，建立流量网络；

根据所述流量网络，得到对应于所述倒装芯片的所述电源接脚的所述倒装芯片的所述电源凸块以及对应于所述倒装芯片的多个信号接合垫的所述倒装芯片的多个信号凸块的凸块分配；以及

根据所述凸块分配，得到所述倒装芯片的所述重分布层绕线。

9.如权利要求8所述的协同设计倒装芯片以及硅中介层的方法，其特征在于，所述重分布层绕线的总线长最小化。

10.如权利要求8所述的协同设计倒装芯片以及硅中介层的方法，其特征在于，所述执行芯片-硅中介层绕线程序的步骤还包括：

根据所述重分布层绕线，模型化所述电流-电阻限制条件，以防止所述凸块分配的电流-电阻违规；以及

根据已模型化的所述电流-电阻限制条件以及所述凸块分配，得到所述硅中介层绕线。