[发明专利]一种碳化硅基底上的石墨烯的层数测量方法

权利要求书

1.一种碳化硅基底上的石墨烯的层数测量方法，其特征是：碳化硅基底上 的石墨烯的层数测量过程包括以下工艺步骤：

(1)利用热解外延法在碳化硅的硅面生长出具有厚度层数的石墨烯 样品；

(2)利用X射线光电子能谱对样品进行测量，扫描范围为280eV至 290eV，选取不同的光子衍射接收角θ，记录下不同θ值所对应的XPS能 谱；

(3)利用扫描到的XPS能谱，计算284.5eV处C-C键中的C1s电子的 衍射光子积分强度，以及282.9eV处Si-C键中的C1s电子的衍射光子积 分强度；

(4)将计算得到的衍射光子积分强度带入到衍射光子积分强度与石 墨烯厚度的函数关系式中，利用不同衍射角下的数据进行线形拟合，求 出样品的石墨烯厚度；

(5)将计算得到的石墨烯厚度与石墨烯的原子层间距作比，得到样 品石墨烯的层数。

2.根据权利要求1所述的碳化硅基底上的石墨烯的层数测量方法，其特征 是：X射线光电子能谱对样品进行测量时，X射线的入射角固定为45°， 每次改变的光衍射角θ是衍射光线与法线的夹角。