[发明专利]一种集成超声结构的电容式湿度传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410724904.9 申请日: 2014-12-03
公开(公告)号: CN104391015A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 黄见秋;陈文浩 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 黄成萍
地址: 214135 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 超声 结构 电容 湿度 传感器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种集成超声结构的电容式湿度传感器,其特征在于:包括超声换能器结构和若干湿度敏感电容结构,湿度敏感电容结构设置在超声换能器结构上方;所述超声换能器结构包括由下至上依次设置的衬底(1)、压电材料层(2)和中间金属层(3),湿度敏感电容结构包括由下至上依次设置的绝缘层(4)、叉指电极(5)、钝化层(6)和湿敏材料层(7),绝缘层(4)设置在中间金属层(3)上;所述衬底(1)的下表面通过腐蚀形成空腔,用于调节衬底厚度,进而调节超声换能器结构的谐振频率。

2.一种集成超声结构的电容式湿度传感器的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:

(1)准备重参杂硅衬底(1),通过背面腐蚀在衬底(1)的下表面形成空腔;

(2)在衬底(1)上淀积一层压电材料,并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成压电材料层(2);

(3)在压电材料层(2)上溅射或蒸发一层金属铝,并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成中间金属层(3);

(4)在中间金属层(3)上淀积一层氧化硅并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成绝缘层(4);

(5)在绝缘层(4)上溅射或蒸发一层金属铝,并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成叉指电极(5);

(6)在叉指电极(5)上淀积一层氮化硅并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成钝化层(6);

(7)在钝化层(6)上淀积一层聚酰亚胺,并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成湿敏材料层(7)。

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