[发明专利]一种集成超声结构的电容式湿度传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410724904.9 申请日: 2014-12-03
公开(公告)号: CN104391015A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 黄见秋;陈文浩 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 黄成萍
地址: 214135 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 超声 结构 电容 湿度 传感器 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种集成超声结构的电容式湿度传感器及其制备方法,属于微机电技术。

背景技术

湿度传感器是一种测量湿度的器件,广泛应用于气象研究、工业生产等领域。由于水分子运动的速率有限,当环境湿度发生变化时,传感器的测量结果变化需要一段响应时间;而传感器回滞的存在,则对传感器的测量精度有着不良影响。

为了改善传感器的响应特性和回滞特性,目前通常采用的方法是在传感器结构中增加加热结构。Vaisala(公司名)在产品中使用了折弯型电阻对湿度传感器进行加热。2006年,Ching-Liang Dai(人名)等设计了栅装的多晶硅电阻结构,用于对上方的传感器结构加热。2009年,Youngdeuk Kima等人提出了一种传感器结构,加热电路与敏感电容处于同一层,且将敏感电容包围在中间,从四周进行加热。但是,使用加热结构的湿度传感器,必须经历加热升温和冷却降温过程后才能正常地进行湿度测量,测量频率受传感器温度变化速率影响,有待改进。

发明内容

发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种集成超声结构的电容式湿度传感器及其制备方法,利用利用超声结构产生超声波,增加水分子的能量与扩散速率,改善传感器的响应特性和回滞特性。

技术方案:为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:

一种集成超声结构的电容式湿度传感器,包括超声换能器结构和若干湿度敏感电容结构,湿度敏感电容结构设置在超声换能器结构上方;所述超声换能器结构包括由下至上依次设置的衬底、压电材料层和中间金属层,湿度敏感电容结构包括由下至上依次设置的绝缘层、叉指电极、钝化层和湿敏材料层,绝缘层设置在中间金属层上,叉指电极和钝化层一一对应,所有湿度敏感电容结构的绝缘层共用,所有湿度敏感电容结构的湿敏材料层共用;所述衬底的下表面通过腐蚀形成空腔,用于调节衬底厚度,进而调节超声换能器结构的谐振频率。

一种集成超声结构的电容式湿度传感器的制备方法,包括如下步骤:

(1)准备重参杂硅衬底,通过背面腐蚀在衬底的下表面形成空腔;

(2)在衬底上淀积一层压电材料,并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成压电材料层;

(3)在压电材料层上溅射或蒸发一层金属铝,并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成中间金属层;

(4)在中间金属层上淀积一层氧化硅并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成绝缘层4;

(5)在绝缘层上溅射或蒸发一层金属铝,并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成叉指电极;

(6)在叉指电极上淀积一层氮化硅并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成钝化层;

(7)在钝化层上淀积一层聚酰亚胺,并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成湿敏材料层。

有益效果:本发明提供的集成超声结构的电容式湿度传感器及其制备方法,当对超声换能器结构作用一定频率的电信号时,会释放出超声信号,这种超声信号会使得水分子获得能量,提高水分子的运动速率,使其更快地在湿敏材料层层中扩散或逸出,从而提高电容式湿度传感器的响应速度和回滞特性。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作更进一步的说明。

如图1所示为一种集成超声结构的电容式湿度传感器,包括超声换能器结构和若干湿度敏感电容结构,湿度敏感电容结构设置在超声换能器结构上方;所述超声换能器结构包括由下至上依次设置的衬底1、压电材料层2和中间金属层3,湿度敏感电容结构包括由下至上依次设置的绝缘层4、叉指电极5、钝化层6和湿敏材料层7,绝缘层4设置在中间金属层3上;所述衬底1的下表面通过腐蚀形成空腔,用于调节衬底厚度,进而调节超声换能器结构的谐振频率。

上述集成超声结构的电容式湿度传感器的制备过程如下:

(1)准备重参杂硅衬底1,通过背面腐蚀在衬底1的下表面形成空腔;

(2)在衬底1上淀积一层压电材料,并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成压电材料层2;

(3)在压电材料层2上溅射或蒸发一层金属铝,并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成中间金属层3;

(4)在中间金属层3上淀积一层氧化硅并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成绝缘层4;

(5)在绝缘层4上溅射或蒸发一层金属铝,并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成叉指电极5;

(6)在叉指电极5上淀积一层氮化硅并利用光刻和刻蚀工艺使其图形化,形成钝化层6;

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