[发明专利]一种半导体薄膜型的热电器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体薄膜型的热电器件，其特征在于，包括：上层柔性绝缘基片、下层柔性绝缘基片、M个热电单元、下层导电膜和M-1个第一绝缘层，所述M为整数；

其中，所述M个热电单元，置于所述上层柔性绝缘基片和下层柔性绝缘基片的中间，且M个热电单元通过下层导电膜相串联，一个第一绝缘层置于两个热电单元之间，M-1个第一绝缘层置于所述M个热电单元之间；

每个热电单元包括P型半导体薄膜热电元件、N型半导体薄膜热电元件、上层导电膜和第二绝缘层，所述P型半导体薄膜热电元件和N型半导体薄膜热电元件通过所述上层导电膜相连通，且所述第二绝缘层位于所述P型半导体薄膜热电元件和N型半导体薄膜热电元件中间。

2.根据权利要求1所述的热电器件，其特征在于，所述上层导电膜为铜膜或银膜，所述下层导电膜为铜膜或银膜。

3.根据权利要求1所述的热电器件，其特征在于，所述上层柔性绝缘基片由聚酰亚胺薄片、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物ABS塑料薄片或纳米陶瓷薄片制成，所述下层柔性绝缘基片由聚酰亚胺薄片、ABS塑料薄片或纳米陶瓷薄片制成。

4.一种制备如权利要求1-3任一项所述的热电器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

在上层柔性绝缘基片的下表面镀上层导电膜；

在所述上层导电膜上，每间隔预设长度，印刷绝缘层；

在所述绝缘层的间隔位置，镀M个P型半导体薄膜热电元件；

除去所述上层导电膜下表面的绝缘层；

在每个P型半导体薄膜型热电元件的周围，印刷绝缘层；

在P型半导体薄膜热电元件的间隔位置，镀M个N型半导体薄膜热电元件；

除去所述P型半导体薄膜热电元件周围的绝缘层；

在所述P型半导体薄膜热电元件和N型半导体薄膜热电元件间印刷第二绝缘层；

腐蚀掉所述N型半导体薄膜热电元件和P型半导体薄膜热电元件间的上层导电膜；

在所述N型半导体薄膜热电元件和P型半导体薄膜热电元件间印刷第一绝缘层；

在所述N型半导体薄膜热电元件和P型半导体薄膜热电元件的下方镀下层导电膜；

将所述下层导电膜粘贴至下层柔性绝缘基片的上表面。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在上层柔性绝缘基片的下表面镀上层导电膜，包括：

采用化学镀技术在所述上层柔性绝缘基片的下表面镀上层导电膜。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在上层导电膜中未被绝缘层覆盖的位置，镀M个P型半导体薄膜热电元件，包括：

在所述上层导电膜中未被绝缘层覆盖的位置，采用电化学方法电镀M个P型半导体薄膜热电元件；

所述P型半导体薄膜热电元件的电镀温度为大于25摄氏度，小于40摄氏度，镀液的PH值大于1，小于3。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在上层导电膜中未被绝缘层和P型半导体薄膜热电元件覆盖的位置，镀M个N型半导体薄膜热电元件，包括：

在所述上层导电膜中未被绝缘层和P型半导体薄膜热电元件覆盖的位置，采用电化学方法电镀M个N型半导体薄膜热电元件；

所述N型半导体薄膜热电元件的电镀温度为大于30摄氏度，小于40摄氏度，镀液的PH值为大于0，小于1。