[发明专利]一种磁控溅射制备纳米多孔金属薄膜的方法在审
申请号: | 201410737555.4 | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN104451547A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 李晓军;刘颖;赵修臣;褚卫国;江鹏;宋志伟 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/35;C23C14/58;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋;侯桂丽 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁控溅射 制备 纳米 多孔 金属 薄膜 方法 | ||
1.一种制备纳米多孔金属薄膜的方法,其特征在于,通过磁控溅射工艺制备。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在衬底上溅射金属薄膜;
(2)将制得的金属薄膜去除腐蚀电位低的合金元素。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在溅射金属薄膜之前,先溅射沉积Cr或Ti膜;
优选地,所述Cr或Ti膜厚为5-15nm,优选为10nm;
优选地,溅射沉积Cr或Ti膜的条件为:磁控溅射设备沉积腔室的本底真空度为5×10-5-10×10-5Pa,优选为7×10-5Pa;溅射功率为50-150W,优选为100W;溅射气压为0.2-1.0Pa,优选为0.5Pa;溅射时间为5-15min,优选为8min。
4.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述衬底为硅、氧化硅、氧化铝、不锈钢、塑料衬底中的任意一种,优选为硅;
作为优选,所述金属薄膜中的金属为两种腐蚀电位有差异的两种金属,且所述两种金属可以形成单相合金,优选为Ni-Al、Ni-Mn、Cu-Mn或Au-Ag,进一步优选为Ni-Al;
优选地,Ni-Al的摩尔比为1:0.5-1,优选为1:0.61;
优选地,Ni-Mn的摩尔比为1:1-4,优选为1:2.3;
优选地,Cu-Mn的摩尔比为1:0.8-1.2,优选为1:1.1;
优选地,Au-Ag的摩尔比为任意比;
优选地,所述金属薄膜的厚度为70-130nm,优选为100nm。
5.根据权利要求2-4任一项所述的方法,其特征在于,所述溅射的方式为将两种金属制作成两个靶材进行同时溅射沉积,或采用粉末冶金或者熔炼的方法将两种金属融为一体,制作成一个合金靶材溅射制备合金薄膜;
优选地,所述溅射的方式为将两种金属制作成两个靶材进行同时溅射沉积。
6.根据权利要求2-5任一项所述的方法,其特征在于,金属薄膜溅射的条件为:磁控溅射沉积腔室的本底真空度为5×10-5-10×10-5Pa,优选为7×10-5Pa;镍的溅射功率为20-50W,优选为30W,铝的溅射功率为70-150W,优选为100W,通入氩气,溅射气压为0.2-1.0Pa,优选为0.5Pa,通过双靶共溅射,得到金属镍铝合金薄膜。
7.根据权利要求2-6任一项所述的方法,其特征在于,制备的多孔金属薄膜通过脱合金法去除腐蚀电位低的合金元素。
8.根据权利要求2-7任一项所述的方法,其特征在于,去除腐蚀电位低的合金元素的过程为:将制备的硅基镍铝合金薄膜在酸性溶液中浸泡。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述酸性溶液为盐酸、硫酸、硝酸、硫酸铵中一种或两种以上的混合溶液。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述浸泡的温度为室温-80℃,优选为室温;
优选地,所述浸泡的时间为2min以上,优选为3-15min,进一步优选为7min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米科学中心,未经国家纳米科学中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410737555.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类