[发明专利]电子设备的制造方法在审
申请号: | 201410740114.X | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN104701257A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 藤原晃男;牛光耀;岸政洋 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种电子设备的制造方法。
背景技术
近年来,太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等电子设备(电子机器)的薄型化、轻量化正在推进,这些电子设备所使用的玻璃基板的薄板化正在推进。另一方面,在因薄板化而使玻璃基板的强度不足时,在电子设备的制造工序中,玻璃基板的处理性降低。
因此,最近,基于提高玻璃基板的处理性的观点考虑,提出了以下方法:准备在带无机薄膜的支承玻璃的无机薄膜上层叠玻璃基板而成的层叠体,并在层叠体的玻璃基板上实施了元件(电子设备用构件)的制造处理之后,从层叠体上分离玻璃基板(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本国特开2011-184284号公报
专利文献2:日本国特开2003-174153号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,在专利文献2中,记载有一种“为了促进剥离”而从“具有透光性的基板”侧整面照射YAG激光等激光束的技术([0112]~[0118]、图4)。
本发明人等按照专利文献2所记载的技术从支承玻璃侧向无机薄膜整面照射激光束。其结果,虽然能够看到剥离性提高,但是明确可知有时玻璃基板上的电子设备用构件产生了损伤。考虑这是由于激光束透过无机薄膜和玻璃基板也照射到了电子设备用构件上。
本发明是鉴于以上方面而做成的,其目的在于提供一种抑制由激光束照射导致的电子设备用构件的损伤、并且提高玻璃基板与无机层之间的剥离性的电子设备的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明人等为了达到上述目的而进行了深入研究,结果发现,通过照射激光束仅去除与电子设备用构件的非形成区域对应的无机层的周缘部,并以该去除部位为起点进行剥离,从而能够避免对电子设备用构件照射激光束,能够提高玻璃基板与无机层之间的剥离性,完成了本发明。
即,本发明提供以下(1)~(6)。
(1)一种电子设备的制造方法,其包括以下工序:玻璃层叠体制造工序,获得具有带无机层的支承基板和玻璃基板的玻璃层叠体,该带无机层的支承基板具有作为玻璃板的支承基板和配置在所述支承基板上的无机层,该玻璃基板以能够剥离的方式层叠在所述无机层上;构件形成工序,在所述玻璃层叠体中的所述玻璃基板的表面上形成电子设备用构件,获得带电子设备用构件的层叠体;照射工序,通过照射激光束去除所述带电子设备用构件的层叠体中的所述无机层的周缘部的一部分或全部,形成所述无机层的去除部位;以及分离工序,以所述去除部位为剥离起点从所述带电子设备用构件的层叠体上剥离所述带无机层的支承基板,获得具有所述玻璃基板和所述电子设备用构件的电子设备。
(2)根据上述(1)所述的电子设备的制造方法,其中,所述电子设备用构件形成于所述玻璃基板的表面上的一部分,所述激光束向所述无机层的周缘部中的与所述玻璃基板的表面的未形成有所述电子设备用构件的非形成区域对应的区域的一部分或全部进行照射。
(3)根据上述(1)或(2)所述的电子设备的制造方法,其中,所述照射工序是从所述支承基板侧或所述玻璃基板侧向所述无机层照射所述激光束的工序。
(4)根据上述(1)~(3)中任一项所述的电子设备的制造方法,其中,所述去除部位是包括所述无机层的角或边在内的部位。
(5)根据上述(1)~(4)中任一项所述的电子设备的制造方法,其中,所述激光束的光源是YAG激光。
(6)根据上述(1)~(5)中任一项所述的电子设备的制造方法,其中,所述激光束的光束形状是平顶型。
发明的效果
根据本发明,能够提供一种抑制由激光束照射导致的电子设备用构件的损伤、并且提高玻璃基板与无机层之间的剥离性的电子设备的制造方法。
附图说明
图1是玻璃层叠体的一实施方式的示意性剖视图。
图2是表示构件形成工序的示意性剖视图。
图3的(A)和(B)是表示照射工序的示意性剖视图。
图4是表示分离工序的示意性剖视图。
附图标记说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭硝子株式会社;,未经旭硝子株式会社;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410740114.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造