[发明专利]基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置有效
申请号: | 201410742541.1 | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN104734649A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 芯视达系统公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王毓理;王锡麟 |
地址: | 开曼群岛可里克特广场*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 电压 数字 cmos 器件 并行 比较 装置 | ||
1.一种基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置,其特征在于,包括:一个斜坡发生单元、一个增益相关模式控制单元以及若干个列比较单元,其中:增益相关模式控制单元输出开关切换信号至各个列比较单元,增益相关模式控制单元另外输出时钟频率调整信息和/或电压偏置强度信息至斜坡发生单元,斜坡发生单元向列比较单元输出斜坡信号。
2.根据权利要求1所述的基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置,其特征是,所述的列比较单元包括:至少一个运算放大器以及一组并联可调电容,该运算放大器的正向输入端与并联可调电容的输出端相连,反向输入端通过开关与正向输出端相连,反向输出端通过另一开关与正向输入端相连,并联可调电容的三个输入端分别作为列比较单元的模拟输入、接收斜坡信号以及接收开关切换信号。
3.根据权利要求1所述的基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置,其特征是,所述的斜坡发生单元包括:一个数模转换器、与增益相关模式控制单元相连的计数器及偏置电路,其中:数模转换器分别与计数器和偏置电路相连并分别接收斜坡码和偏置电平,输出斜坡信号至所述列比较单元。
4.根据权利要求2或3所述的基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置,其特征是,所述的列比较单元中包括:第二级运算放大器,该第二级运算放大器的正向输入端与前述运算放大器的正向输出端通过电容耦合,其反向输出端通过一开关与正向输入端相连。
5.根据权利要求4所述的基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置,其特征是,所述的增益相关模式控制单元向列比较单元中的第二级运算放大器输出模式控制信号。
6.根据权利要求4所述的基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置,其特征是,所述的列比较单元中包括:第三级运算放大器,该第三级运算放大器的正向输入端与所述第二级运算放大器的反向输出端相连,其反向输出端作为所述列比较单元的模拟输出。
7.根据上述任一权利要求所述的基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置,其特征是,所述的列比较单元包含至少一个低压数字MOS管实现。
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