[发明专利]一种四面无引脚扁平半导体器件封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种四面无引脚扁平半导体器件封装结构，其特征在于，包括：

引线框架和桥框架，

所述引线框架边缘设置有多个切割定位标记，所述切割定位标记将所述引线框架分隔成多排多列连接的引线框架单元，所述引线框架单元包括：

第一芯片座，用于倒装第一芯片，封装时，所述第一芯片座与所述第一芯片的源极连接；

至少一个第一芯片栅极管脚，用于连接所述第一芯片的栅极；

第二芯片座，用于正装第二芯片，封装时，所述第二芯片座与所述第二芯片的漏极连接；

至少一个第二芯片漏极管脚，所述第二芯片漏极管脚与所述第二芯片座连接；

至少一个第二芯片栅极管脚，用于连接所述第二芯片的栅极，

所述桥框架包括多排多列连接的桥框架单元，封装时，所述桥框架叠放在所述引线框架上，且露出所述切割定位标记，所述桥框架单元覆盖所述引线框架单元，所述桥框架单元包括：

铜桥，封装时，所述铜桥连接所述第一芯片的漏极和所述第二芯片的源极；

至少一个桥框架单元管脚，所述桥框架单元管脚与所述铜桥连接。

2.根据权利要求1所述的四面无引脚扁平半导体器件封装结构，其特征在于，所述引线框架上设置有至少一个第一定位卡口，所述桥框架上设置有至少一个第二定位卡口，封装时，所述第一定位卡口和所述第二定位卡口相互卡合。

3.根据权利要求2所述的四面无引脚扁平半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一芯片座上开设有一切口，所述第一芯片栅极管脚延伸至所述切口处。

4.根据权利要求3所述的四面无引脚扁平半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一芯片栅极管脚、所述第二芯片漏极管脚、所述第二芯片栅极管脚、所述第一芯片座和所述第二芯片座的下表面均在同一平面上。

5.根据权利要求4所述的四面无引脚扁平半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一芯片栅极管脚、所述第二芯片漏极管脚、所述第二芯片栅极管脚、所述第一芯片座和所述第二芯片座的上表面均在同一平面上。

6.根据权利要求4或5所述的四面无引脚扁平半导体器件封装结构，其特征在于，所述桥框架单元管脚靠近所述铜桥的部分向内弯曲，使得当所述桥框架叠放在所述引线框架上时，所述桥框架单元管脚的下表面与所述第一芯片栅极管脚的下表面在同一平面上。

7.一种采用权利要求1-6任一所述的四面无引脚扁平半导体器件封装结构封装半导体器件的封装方法，其特征在于，包括：

对晶圆进行切割，以得到多个芯片；

提供引线框架，所述引线框架边缘设置有多个切割定位标记，所述切割定位标记将所述引线框架分隔成多排多列连接的引线框架单元；

将第一芯片倒装在所述第一芯片座及第一芯片栅极管脚上，将第二芯片正装在所述第二芯片座上，所述第一芯片座与所述第一芯片的源极连接，所述第一芯片栅极管脚与所述第一芯片的栅极连接，所述第二芯片座与所述第二芯片的漏极连接，所述第二芯片栅极管脚与第二芯片的栅极连接；

提供桥框架，所述桥框架包括多排多列连接的桥框架单元；

将桥框架组装在所述引线框架之上，露出所述切割定位标记，所述桥框架单元覆盖所述引线框架单元，所述桥框架的铜桥连接所述第一芯片的漏极和所述第二芯片的源极；

焊接导线，所述导线连接所述桥框架的第二芯片栅极管脚和所述第二芯片的栅极；

对焊接导线之后得到的半导体器件进行注塑成型；

根据所述切割定位标记对注塑成型后的半导体器件进行切割分离。

8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述将第一芯片倒装在所述第一芯片座及第一芯片栅极管脚上，将第二芯片正装在所述第二芯片座上包括：

在所述第一芯片座、所述第一芯片栅极管脚和所述第二芯片座之上制备导电结合材；

将所述第一芯片倒放在所述第一芯片座上的导电结合材之上，将所述第二芯片正放在所述第二芯片座上的导电结合材之上，

所述将所述桥框架组装在所述引线框架之上包括：

在所述第一芯片和所述第二芯片之上制备导电结合材，

将所述桥框架叠放在所述引线框架之上，

采用回流焊技术，固化导电结合材，将所述第一芯片倒装在所述第一芯片座及所述第一芯片栅极管脚上，将所述第二芯片正装在所述第二芯片座上，并将所述桥框架组装在所述引线框架之上。