[发明专利]一种四面无引脚扁平半导体器件封装结构及封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种四面无引脚扁平半导体器件封装结构及封装方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，要求半导体器件的尺寸越来越小，功率越来越高，但是尺寸小、功率高引起的高电流、高热阻是困扰半导体器件的主要问题。为了解决这一问题，封装时采用双引线框架成为了越来越多的选择。现有技术中，用双引线框架封装半导体器件时会采用较多的导线进行连接，较多的导线会产生额外的热量，增加半导体器件的负担，且导线的电流承载能力有限，造成半导体器件的电流承载能力有限，且这种连接方式生产效率低、可靠性较差。

发明内容

本发明是为了解决现有技术中的上述不足而完成的，本发明的目的在于提出一种四面无引脚扁平半导体器件封装结构及封装方法，该封装结构能够解决现有技术中采用双引线框架进行封装时，较多导线产生额外热量、半导体器件电流承载能力有限，且生产效率低、可靠性差的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明公开了一种四面无引脚扁平半导体器件封装结构，包括：

引线框架和桥框架，

所述引线框架边缘设置有多个切割定位标记，所述切割定位标记将所述引线框架分隔成多排多列连接的引线框架单元，所述引线框架单元包括：

第一芯片座，用于倒装第一芯片，封装时，所述第一芯片座与所述第一芯片的源极连接；

至少一个第一芯片栅极管脚，用于连接所述第一芯片的栅极；

第二芯片座，用于正装第二芯片，封装时，所述第二芯片座与所述第二芯片的漏极连接；

至少一个第二芯片漏极管脚，所述第二芯片漏极管脚与所述第二芯片座连接；

至少一个第二芯片栅极管脚，用于连接所述第二芯片的栅极，

所述桥框架包括多排多列连接的桥框架单元，封装时，所述桥框架叠放在所述引线框架上，且露出所述切割定位标记，所述桥框架单元覆盖所述引线框架单元，所述桥框架单元包括：

铜桥，封装时，所述铜桥连接所述第一芯片的漏极和所述第二芯片的源极；

至少一个桥框架单元管脚，所述桥框架单元管脚与所述铜桥连接。

进一步地，所述引线框架上设置有至少一个第一定位卡口，所述桥框架上设置有至少一个第二定位卡口，封装时，所述第一定位卡口和所述第二定位卡口相互卡合。

进一步地，所述第一芯片座上开设有一切口，所述第一芯片栅极管脚延伸至所述切口处。

进一步地，所述第一芯片栅极管脚、所述第二芯片漏极管脚、所述第二芯片栅极管脚、所述第一芯片座和所述第二芯片座的下表面均在同一平面上。

进一步地，所述第一芯片栅极管脚、所述第二芯片漏极管脚、所述第二芯片栅极管脚、所述第一芯片座和所述第二芯片座的上表面均在同一平面上。

进一步地，所述桥框架单元管脚靠近所述铜桥的部分向内弯曲，使得当所述桥框架叠放在所述引线框架上时，所述桥框架单元管脚的下表面与所述第一芯片栅极管脚的下表面在同一平面上。

第二方面，本发明公开了一种采用上述任一所述的四面无引脚扁平半导体器件封装结构封装半导体器件的封装方法，包括：

对晶圆进行切割，以得到多个芯片；

提供引线框架，所述引线框架边缘设置有多个切割定位标记，所述切割定位标记将所述引线框架分隔成多排多列连接的引线框架单元；

将第一芯片倒装在所述第一芯片座及第一芯片栅极管脚上，将第二芯片正装在所述第二芯片座上，所述第一芯片座与所述第一芯片的源极连接，所述第一芯片栅极管脚与所述第一芯片的栅极连接，所述第二芯片座与所述第二芯片的漏极连接，所述第二芯片栅极管脚与第二芯片的栅极连接；

提供桥框架，所述桥框架包括多排多列连接的桥框架单元；

将桥框架组装在所述引线框架之上，露出所述切割定位标记，所述桥框架单元覆盖所述引线框架单元，所述桥框架的铜桥连接所述第一芯片的漏极和所述第二芯片的源极；

焊接导线，所述导线连接所述铜框架的第二芯片栅极管脚和所述第二芯片的栅极；

对焊接导线之后得到的半导体器件进行注塑成型；

根据所述切割定位标记对注塑成型后的半导体器件进行切割分离。

进一步地，所述将第一芯片倒装在所述第一芯片座及第一芯片栅极管脚上，将第二芯片正装在所述第二芯片座上包括：

在所述第一芯片座、所述第一芯片栅极管脚和所述第二芯片座之上制备导电结合材；