[发明专利]制备FinFET器件的方法

权利要求书

1.一种制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一设置若干鳍状结构的半导体衬底，且每个所述鳍状结构上均设置有源/漏区及包括样本栅的堆叠结构；

于所述源/漏区外延生长应力结构后，以在相邻的鳍状结构间形成高深宽比的孔隙；

制备氧化石墨烯层填充所述孔隙后，去除所述样本栅堆叠结构中的样本栅；

所述氧化石墨烯层填充所述孔隙并覆盖所述应力结构的表面，所述方法还包括：

沉积层间介质层覆盖所述氧化石墨烯层的表面后，去除所述样本栅。

2.如权利要求1所述的制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述方法还包括：

采用高深宽比填充工艺沉积氧化物制备所述层间介质层。

3.如权利要求1所述的制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述方法还包括：

去除所述样本栅，以在所述堆叠结构中形成栅极凹槽；

于所述栅极凹槽中制备金属栅极。

4.如权利要求1所述的制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述方法还包括：

外延生长所述应力结构后，回刻部分所述应力结构，以增大所述孔隙的开口口径；

继续制备所述氧化石墨烯层，以填充所述孔隙。

5.如权利要求1所述的制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述应力结构的形状为U形或Σ形。

6.如权利要求1所述的制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述应力结构的材质为Si、SiC或SiGe。

7.如权利要求1所述的制备FinFET器件的方法，其特征在于，制备所述氧化石墨烯层的步骤包括：

制备一氧化石墨烯薄膜，并对所述氧化石墨烯薄膜进行退火工艺后，形成所述氧化石墨烯层。

8.如权利要求1所述的制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述样本栅的材质为Si-ARC、SioC或a-Si。

9.如权利要求1所述的制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯层的厚度大于所述应力结构的厚度。

10.一种制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一设置有若干鳍状结构的半导体衬底，且该半导体衬底上还设置有第一类型器件区域和第二类型器件区域；

于所述第一类型器件区域中的所述鳍状结构上外延生长第一应力结构，于所述第二类型器件区域中的所述鳍状结构上外延生长第二应力结构；

制备一氧化石墨烯层填充位于相邻鳍状结构之间的区域；

每个所述鳍状结构上均设置有源/漏区及包括样本栅的堆叠结构；以及

所述第一应力结构和所述第二应力结构均位于所述源/漏区上，且相邻的鳍状结构间形成有高深宽比的孔隙，所述氧化石墨烯层填充所述孔隙。

11.如权利要求10所述的制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯层填充所述孔隙并覆盖所述第一应力结构和所述第二应力结构的表面，所述方法还包括：

沉积层间介质层覆盖所述氧化石墨烯层的表面后，去除所述样本栅。

12.如权利要求11所述的制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述方法还包括：

采用高深宽比填充工艺沉积氧化物制备所述层间介质层。

13.如权利要求10所述的制备FinFET器件的方法，其特征在于，所述方法还包括：

去除所述样本栅，以在所述堆叠结构中形成栅极凹槽；

于所述栅极凹槽中制备金属栅极。