[发明专利]自动调节硅片制绒工艺的装置有效
| 申请号： | 201410748135.6 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104538330B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陶龙忠;乐雄英;杨灼坚;张尧;李海波 | 申请（专利权）人： | 苏州润阳光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自动 调节 硅片 工艺 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种自动调节硅片制绒工艺的装置，其特征在于：该装置由反射率测量系统（1）、硅片厚度测量系统（2）和反馈控制系统（3）组成，所述反射率测量系统（1）设置于制绒设备（10）的下料端（6），所述硅片厚度测量系统（2）设置于制绒设备（10）的上料端（5）与下料端（6），所述反馈控制系统（3）分别与反射率测量系统（1）、硅片厚度测量系统（2）及制绒设备主控计算机（4）相连接，所述反馈控制系统（3）收集反射率测量系统（1）和硅片厚度测量系统（2）测得的信号，经内部算法处理后，下达指令予制绒设备主控计算机（4），对制绒设备（10）的工艺参数进行自动调节。
2.根据权利要求1所述的自动调节硅片制绒工艺的装置，其特征在于：所述反射率测量系统（1）由激光反射率测量仪组成。
3.根据权利要求1所述的自动调节硅片制绒工艺的装置，其特征在于：所述硅片厚度测量系统（2）由电容测厚仪、电感测厚仪或电阻测厚仪组成。
4.根据权利要求1所述的自动调节硅片制绒工艺的装置，其特征在于：所述反馈控制系统（3）由可编程逻辑控制器或计算机组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
